公开(公告)号：TW201839983A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：TW106127586

申请日：2017-08-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN ,  張孟淳 ,  CHANG, MENG CHUN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/768

Abstract: 一種半導體裝置，包括：基板，設有電子裝置；層間介電層，形成於電子裝置上；線路圖案，形成於層間介電層中或上；接點，形成於層間介電層中，且接點物理性及電性連接線路圖案至電子裝置之導電區域；絕緣襯層，提供於接點之側壁上，絕緣襯層介於接點該層間介電層間；以及絕緣襯層的高度小於接點的高度的90%，絕緣襯層的高度係從電子裝置的導電區域的頂部測量，接點的高度係從在導電區域的頂部及水平面之間測量，水平面係層間介電層和線路圖案之間的界面。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：基板，设有电子设备；层间介电层，形成于电子设备上；线路图案，形成于层间介电层中或上；接点，形成于层间介电层中，且接点物理性及电性连接线路图案至电子设备之导电区域；绝缘衬层，提供于接点之侧壁上，绝缘衬层介于接点该层间介电层间；以及绝缘衬层的高度小于接点的高度的90%，绝缘衬层的高度系从电子设备的导电区域的顶部测量，接点的高度系从在导电区域的顶部及水平面之间测量，水平面系层间介电层和线路图案之间的界面。

公开(公告)号：TWI574403B

公开(公告)日：2017-03-11

申请号：TW104138983

申请日：2015-11-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李東穎 ,  LEE, TUNG YING ,  陳孟谷 ,  CHEN, MENG KU ,  黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/763 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/76224

公开(公告)号：TWI511297B

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW103104525

申请日：2014-02-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳忠賢 ,  CHEN, CHUNG HSIEN ,  李東穎 ,  LEE, TUNG YING ,  黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN ,  劉繼文 ,  LIU, CHI WEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76221 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/324 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TW201732897A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105141858

申请日：2016-12-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 沈香谷 ,  SHEN, HSIANG KU ,  黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN ,  黃彥傑 ,  HUANG, YEN CHIEH ,  陳蕙祺 ,  CHEN, HUI CHI ,  葉震亞 ,  YEH, JENG YA DAVID

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/845 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

Abstract: 一種半導體裝置包含第一閘極結構設置於基板上。第一閘極結構包含第一閘電極、第一覆蓋絕緣層設置於第一閘電極上，以及第一側壁間隔物設置於第一閘電極和第一覆蓋絕緣層的側表面上。半導體裝置更包含第一保護層形成於第一覆蓋絕緣層和至少一個第一側壁間隔物之上。第一保護層包含由氮氧化鋁(AlON)，氮化鋁(AlN)及非晶矽所組成的群組中選擇其中至少一種。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含第一闸极结构设置于基板上。第一闸极结构包含第一闸电极、第一覆盖绝缘层设置于第一闸电极上，以及第一侧壁间隔物设置于第一闸电极和第一覆盖绝缘层的侧表面上。半导体设备更包含第一保护层形成于第一覆盖绝缘层和至少一个第一侧壁间隔物之上。第一保护层包含由氮氧化铝(AlON)，氮化铝(AlN)及非晶硅所组成的群组中选择其中至少一种。

公开(公告)号：TWI456654B

公开(公告)日：2014-10-11

申请号：TW100125078

申请日：2011-07-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN ,  林家彬 ,  LIN, CHIA PIN ,  王勝雄 ,  WANG, SHENG HSIUNG ,  徐帆毅 ,  HSU, FAN YI ,  戴郡良 ,  TAI, CHUN LIANG

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545

公开(公告)号：TW201421693A

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW102140982

申请日：2013-11-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN ,  蔡明桓 ,  TSAI, MING HUAN ,  萬幸仁 ,  WANN, CLEMENT HSINGJEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本發明實施例提供FinFET元件與其形成方法。在一實施例中，FinFET元件的形成方法包括形成半導體帶於半導體基板上，其中半導體帶位於介電層中；形成閘極於半導體帶與介電層上；以及形成第一凹陷與第二凹陷於半導體帶中，其中第一凹陷與第二凹陷位於閘極之相反兩側上。此方法還包括形成源極區於第一凹陷中，並形成汲極區於第二凹陷中；以及使介電層凹陷化，其中半導體帶之第一部份延伸超過介電層的上表面，且第一部份形成半導體鰭狀物。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供FinFET组件与其形成方法。在一实施例中，FinFET组件的形成方法包括形成半导体带于半导体基板上，其中半导体带位于介电层中；形成闸极于半导体带与介电层上；以及形成第一凹陷与第二凹陷于半导体带中，其中第一凹陷与第二凹陷位于闸极之相反两侧上。此方法还包括形成源极区于第一凹陷中，并形成汲极区于第二凹陷中；以及使介电层凹陷化，其中半导体带之第一部份延伸超过介电层的上表面，且第一部份形成半导体鳍状物。

公开(公告)号：TW201409709A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102126602

申请日：2013-07-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN ,  鄭存甫 ,  CHENG, CHUN FU

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02118 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明揭露一種半導體裝置及其製造方法。在基板上形成堆疊閘極。形成相鄰於堆疊閘極的側壁的間隙壁。在間隙壁與基板之間形成凹腔。接著，在凹腔內形成應變特徵部件。本發明揭露的半導體裝置製造方法提供間隙壁與基板之間的空間，以形成應變特徵部件，因此，增加載子遷移率及提升裝置效能。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种半导体设备及其制造方法。在基板上形成堆栈闸极。形成相邻于堆栈闸极的侧壁的间隙壁。在间隙壁与基板之间形成凹腔。接着，在凹腔内形成应变特征部件。本发明揭露的半导体设备制造方法提供间隙壁与基板之间的空间，以形成应变特征部件，因此，增加载子迁移率及提升设备性能。

公开(公告)号：TW201630183A

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：TW104138983

申请日：2015-11-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李東穎 ,  LEE, TUNG YING ,  陳孟谷 ,  CHEN, MENG KU ,  黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/763 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/76224

Abstract: 一種半導體結構，包含基材、至少一第一磊晶層與至少一第二磊晶層。基材具有複數多維排列的凹槽。第一磊晶層至少位於基材之此些凹槽中。第二磊晶層位於第一磊晶層上。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构，包含基材、至少一第一磊晶层与至少一第二磊晶层。基材具有复数多维排列的凹槽。第一磊晶层至少位于基材之此些凹槽中。第二磊晶层位于第一磊晶层上。

公开(公告)号：TWI524528B

公开(公告)日：2016-03-01

申请号：TW102140982

申请日：2013-11-12

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN ,  蔡明桓 ,  TSAI, MING HUAN ,  萬幸仁 ,  WANN, CLEMENT HSINGJEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

公开(公告)号：TWI512989B

公开(公告)日：2015-12-11

申请号：TW102126602

申请日：2013-07-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃玉蓮 ,  HUANG, YU LIEN ,  鄭存甫 ,  CHENG, CHUN FU

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/02118 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848