公开(公告)号：TWI599164B

公开(公告)日：2017-09-11

申请号：TW102138267

申请日：2013-10-23

Applicant: 艾姆微體電子 馬林公司 ,  EM MICROELECTRONIC-MARIN S. A.

Inventor： 塔加里 阿敏 ,  TAJALLI, ARMIN

IPC: H03G3/30

CPC classification number: H03G3/30 ,  H03G3/3063 ,  H03H11/245

公开(公告)号：TW201813293A

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW106129620

申请日：2017-08-30

Applicant: 美商天工方案公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

Inventor： 顏燕 ,  YAN, YAN ,  李 俊勇 ,  LEE, JUNHYUNG

IPC: H03H7/03 ,  H03H7/18 ,  H01P1/22

CPC classification number: H03H11/245 ,  H03F3/19 ,  H03F3/211 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/451 ,  H03G1/0029 ,  H03G1/0088 ,  H03G3/3042 ,  H03G3/3063 ,  H03G2201/106 ,  H03H7/25 ,  H04B1/40

Abstract: 具有相移及增益補償電路之衰減器。在一些實施例中，一射頻(RF)衰減器電路可包含串聯佈置在一輸入節點與一輸出節點之間之一或多個衰減區塊，其中每一衰減區塊包含一局部旁路路徑。該RF衰減器電路可進一步包含在該輸入節點與該輸出節點之間實施之一全域旁路路徑。該RF衰減器電路可進一步包含一相位補償電路，其經組態以補償與該全域旁路路徑及該一或多個局部旁路路徑之至少一者相關聯之一關斷電容效應。

Abstract in simplified Chinese: 具有相移及增益补偿电路之衰减器。在一些实施例中，一射频(RF)衰减器电路可包含串联布置在一输入节点与一输出节点之间之一或多个衰减区块，其中每一衰减区块包含一局部旁路路径。该RF衰减器电路可进一步包含在该输入节点与该输出节点之间实施之一全域旁路路径。该RF衰减器电路可进一步包含一相位补偿电路，其经组态以补偿与该全域旁路路径及该一或多个局部旁路路径之至少一者相关联之一关断电容效应。

公开(公告)号：TW201440424A

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：TW102138267

申请日：2013-10-23

Applicant: 艾姆微體電子 馬林公司 ,  EM MICROELECTRONIC-MARIN S. A.

Inventor： 塔加里 阿敏 ,  TAJALLI, ARMIN

IPC: H03G3/30

CPC classification number: H03G3/30 ,  H03G3/3063 ,  H03H11/245

Abstract: 電子電路(1)包括，在自動增益控制迴路中，輸入放大器(2)，自動增益控制單元，和一單元(10)，自動增益控制單元連接到放大器輸出以檢測輸出信號的振幅，根據從自動增益控制單元的順應信號(VAGC)，單元(10)用於衰減放大器的輸入信號。衰減單元包括比較的裝置，用於比較順應信號和參考信號(VREF)和用於供給衰減電流作為順應信號和參考信號之間的差的函數，到二極體連接PMOS複製電晶體(M2)，其由源極連接到共模電壓(VCM)，取決於放大器的輸入信號。複製電晶體控制PMOS分流電晶體(M1)，其定義連接到放大器輸入的分流電阻，它的電阻值取決於通過複製電晶體的衰減電流。

Abstract in simplified Chinese: 电子电路(1)包括，在自动增益控制回路中，输入放大器(2)，自动增益控制单元，和一单元(10)，自动增益控制单元连接到放大器输出以检测输出信号的振幅，根据从自动增益控制单元的顺应信号(VAGC)，单元(10)用于衰减放大器的输入信号。衰减单元包括比较的设备，用于比较顺应信号和参考信号(VREF)和用于供给衰减电流作为顺应信号和参考信号之间的差的函数，到二极管连接PMOS复制晶体管(M2)，其由源极连接到共模电压(VCM)，取决于放大器的输入信号。复制晶体管控制PMOS分流晶体管(M1)，其定义连接到放大器输入的分流电阻，它的电阻值取决于通过复制晶体管的衰减电流。