公开(公告)号：TWI616067B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW105133314

申请日：2016-10-14

申请人： 瑞昱半導體股份有限公司 ,  REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 石益璋 ,  SHIH, YI CHANG ,  楊育哲 ,  YANG, YU CHE ,  廖崑勛 ,  LIAO, KUN HSUN

IPC分类号： H04B1/40 ,  H04B1/44

CPC分类号： H04B1/40 ,  H04W4/80 ,  H04W88/06

公开(公告)号：TW201740701A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW106111686

申请日：2017-04-07

申请人： 天工方案公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 立透 克里斯多福 羅伯特 ,  LITTLE, CHRISTOPHER ROBERT ,  懷特菲德 大衛 史考特 ,  WHITEFIELD, DAVID SCOTT

IPC分类号： H04L5/14 ,  H04B1/48

CPC分类号： H04B7/0604 ,  H04B1/006 ,  H04B1/0064 ,  H04B1/3833 ,  H04B1/40 ,  H04B7/0825

摘要： 本發明提供具有可切換雙工器之前端架構。在一些實施例中，一前端架構可包括：一第一接收信號路徑，其具有耦接至一第一天線之一第一接收濾波器；一第二接收信號路徑，其具有耦接至一第二天線之一第二接收濾波器；及一傳輸信號路徑，其具有一傳輸濾波器。該前端架構可進一步包括一信號路由傳送總成，其經組態以在一第一模式中將該傳輸濾波器耦接至該第一天線，且在一第二模式中將該傳輸濾波器耦接至該第二天線。

简体摘要： 本发明提供具有可切换双工器之前端架构。在一些实施例中，一前端架构可包括：一第一接收信号路径，其具有耦接至一第一天线之一第一接收滤波器；一第二接收信号路径，其具有耦接至一第二天线之一第二接收滤波器；及一传输信号路径，其具有一传输滤波器。该前端架构可进一步包括一信号路由发送总成，其经组态以在一第一模式中将该传输滤波器耦接至该第一天线，且在一第二模式中将该传输滤波器耦接至该第二天线。

公开(公告)号：TWI605599B

公开(公告)日：2017-11-11

申请号：TW105126911

申请日：2010-11-09

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 加藤清 ,  KATO, KIYOSHI ,  小山潤 ,  KOYAMA, JUN

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  G06K19/077

CPC分类号： H01L29/78696 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/07773 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/7869 ,  H01L2223/6677 ,  H04B1/40 ,  Y02D70/00

公开(公告)号：TW201739172A

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW106126723

申请日：2014-08-08

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 柏蒂湯姆 塔奧菲克 ,  BOURDI,TOM TAOUFIK ,  奧伯克雀湯瑪士 ,  OBKIRCHER,THOMAS ,  阿葛沃比伯 ,  AGARWAL,BIPUL ,  莫函強卓 ,  MOHAN,CHANDRA

IPC分类号： H03L7/16

CPC分类号： H03L7/1978 ,  H03L7/1976 ,  H03M3/422 ,  H03M3/436 ,  H03M7/3022 ,  H04B1/40 ,  H04B2001/0491 ,  H04L7/0331 ,  H04L27/00 ,  H04L27/361

摘要： 一頻率合成器之一N分率型除法器由一無顫動誤差回饋調變器驅動，以緩和藉由來自三角積分調變器之分頻比之循環串所引入的分率偽頻調。一第一回饋迴路產生回饋信號。一第二回饋迴路干擾分率偽頻調，且一第三回饋迴路提供大致零靜態誤差。

简体摘要： 一频率合成器之一N分率型除法器由一无颤动误差回馈调制器驱动，以缓和借由来自三角积分调制器之分频比之循环串所引入的分率伪频调。一第一回馈回路产生回馈信号。一第二回馈回路干扰分率伪频调，且一第三回馈回路提供大致零静态误差。

公开(公告)号：TW201735558A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW106104342

申请日：2017-02-10

申请人： 高通公司 ,  QUALCOMM INCORPORATED

发明人： 馬雲飛 ,  MA, YUNFEI ,  左誠杰 ,  ZUO, CHENGJIE ,  伯帝 大衛 ,  BERDY, DAVID ,  金戴克 ,  KIM, DAEIK ,  雲 章漢 ,  YUN, CHANGHAN ,  藍 傑雄 ,  LAN, JE-HSIUNG ,  弗立茲 馬立歐 ,  VELEZ, MARIO ,  穆達卡特 尼藍珍 桑尼爾 ,  MUDAKATTE, NIRANJAN SUNIL ,  米庫卡 羅伯特 ,  MIKULKA, ROBERT ,  金 龍海 ,  KIM, JONGHAE

IPC分类号： H04B1/40 ,  H04B1/00 ,  H04L5/00

CPC分类号： H04B1/0057 ,  H03H7/09 ,  H03H7/463 ,  H04B1/04 ,  H04B1/3827 ,  H04B1/40 ,  H04B2001/0416 ,  H04L5/14

摘要： 本發明提供一種RF雙工器，其具有一集成雙工器，該集成雙工器共用包括於該RF雙工器內之一通道中的一初級電感器。

简体摘要： 本发明提供一种RF双工器，其具有一集成双工器，该集成双工器共享包括于该RF双工器内之一信道中的一初级电感器。

公开(公告)号：TWI583130B

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：TW104132336

申请日：2015-09-30

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 雷普利 大衛 史蒂芬 ,  RIPLEY, DAVID STEVEN ,  勒托拉 菲利浦 約翰 ,  LEHTOLA, PHILIP JOHN

IPC分类号： H03F1/22

CPC分类号： H03F1/32 ,  H03F1/0211 ,  H03F1/0227 ,  H03F1/22 ,  H03F1/56 ,  H03F3/19 ,  H03F3/191 ,  H03F3/21 ,  H03F3/24 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/171 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/462 ,  H03F2200/555 ,  H03F2200/78 ,  H04B1/0475 ,  H04B1/40 ,  H04B2001/0408 ,  H04L25/0278 ,  H04L27/04

公开(公告)号：TW201713053A

公开(公告)日：2017-04-01

申请号：TW105120830

申请日：2016-06-30

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 楊 詹姆士 菲利浦 ,  YOUNG, JAMES PHILLIP

IPC分类号： H04B1/40 ,  H01L23/00 ,  H01L23/66 ,  H01L23/498

CPC分类号： H04B1/40 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/92222 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81

摘要： 本發明揭示關於絕緣體上覆矽(SOI)基板上之射頻(RF)濾波器的裝置及方法。在一些實施例中，一RF裝置可包括諸如一SOI晶粒之一矽晶粒，該矽晶粒包括一第一側及一第二側。該矽晶粒可進一步包括複數個通孔，其中每一通孔經組態以在該矽晶粒之該第一側與該第二側之間提供一電連接。該RF裝置可進一步包括安裝於該矽晶粒之該第一側上的至少一RF覆晶。該矽晶粒可包括(例如)諸如一開關電路之一RF電路，且該RF覆晶可包括(例如)諸如一表面聲波(SAW)濾波器之一濾波器。

简体摘要： 本发明揭示关于绝缘体上覆硅(SOI)基板上之射频(RF)滤波器的设备及方法。在一些实施例中，一RF设备可包括诸如一SOI晶粒之一硅晶粒，该硅晶粒包括一第一侧及一第二侧。该硅晶粒可进一步包括复数个通孔，其中每一通孔经组态以在该硅晶粒之该第一侧与该第二侧之间提供一电连接。该RF设备可进一步包括安装于该硅晶粒之该第一侧上的至少一RF覆晶。该硅晶粒可包括(例如)诸如一开关电路之一RF电路，且该RF覆晶可包括(例如)诸如一表面声波(SAW)滤波器之一滤波器。

公开(公告)号：TW201644209A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW105127719

申请日：2012-10-24

申请人： 西凱渥資訊處理科技公司 ,  SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： 雷普利 大衛 史蒂芬 ,  RIPLEY, DAVID STEVEN

IPC分类号： H04B1/76

CPC分类号： H03K19/018521 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/0222 ,  H03F3/189 ,  H03F3/19 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H03F3/213 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21106 ,  H03G3/3036 ,  H03K3/356069 ,  H03K17/22 ,  H03L5/00 ,  H03L5/02 ,  H04B1/40 ,  H04B2001/0408

摘要： 根據某些實施例，本發明係關於一種可用於在一單個數位控制介面晶粒內提供一射頻前端(RFFE)串列介面及一三模式通常用途輸入/輸出(GPIO)介面兩者之雙模式控制介面。在某些實施例中，該雙模式控制介面或數位控制介面可與一功率放大器通信。此外，該雙模式控制介面可用於設定該功率放大器之模式。

简体摘要： 根据某些实施例，本发明系关于一种可用于在一单个数码控制界面晶粒内提供一射频前端(RFFE)串行界面及一三模式通常用途输入/输出(GPIO)界面两者之双模式控制界面。在某些实施例中，该双模式控制界面或数码控制界面可与一功率放大器通信。此外，该双模式控制界面可用于设置该功率放大器之模式。

公开(公告)号：TWI560551B

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW104140439

申请日：2015-12-03

申请人： 瑞昱半導體股份有限公司 ,  REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.

发明人： 賴照民 ,  LAI, CHAO-MIN

IPC分类号： G06F13/40

CPC分类号： G06F13/4282 ,  G06F13/4081 ,  H04B1/40

公开(公告)号：TW201642602A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：TW105107536

申请日：2016-03-11

申请人： 艾洛海夫網絡股份有限公司 ,  AEROHIVE NETWORKS, INC.

发明人： 張良甫 ,  ZHANG, LIANGFU ,  陳 剛 ,  CHEN, GEORGE GANG ,  劉 長明 ,  LIU, CHANGMING ,  曹振業 ,  CAO, ZHENYE

IPC分类号： H04B7/10 ,  H04B7/02 ,  H01Q21/00

CPC分类号： H01Q25/001 ,  H01Q1/2291 ,  H01Q21/24 ,  H01Q21/28 ,  H04B1/18 ,  H04B1/40

摘要： 一種網路裝置包含有：一組配來傳送及接收一第一頻帶中之第一無線電信號的第一無線電模組、一組配來傳送及接收該第一無線電模組在該第一頻帶中之該等第一無線電信號的第一天線陣列、一組配來傳送及接收該第一頻帶中之第二無線電信號的第二無線電模組、一組配來傳送及接收該第二無線電模組在該第一頻帶中之該等第二無線電信號的第二天線陣列，其中，在運作時，該第一無線電模組及第二無線電模組使用該第一頻帶並行作用，同時該第一天線陣列與該第二天線陣列之間維持至少40dB之天線隔離。

简体摘要： 一种网络设备包含有：一组配来发送及接收一第一频带中之第一无线电信号的第一无线电模块、一组配来发送及接收该第一无线电模块在该第一频带中之该等第一无线电信号的第一天线数组、一组配来发送及接收该第一频带中之第二无线电信号的第二无线电模块、一组配来发送及接收该第二无线电模块在该第一频带中之该等第二无线电信号的第二天线数组，其中，在运作时，该第一无线电模块及第二无线电模块使用该第一频带并行作用，同时该第一天线数组与该第二天线数组之间维持至少40dB之天线隔离。