Abstract in simplified Chinese:本发明揭示一种用于将来自一第一电压域之一第一输入信号转换成一第二电压域之一输出信号的设备,该设备经组态以在该第一电压域内或在该第二电压域内操作。该设备包括输入驱动器电路,其经组态以基于由该输入驱动器电路接收之该第一输入信号及一控制信号来产生第二输入信号。该设备亦包括选择电路,其经组态以基于该控制信号来产生一选择信号。该设备亦包括交叉耦合电路,其经组态以基于该第一输入信号、该第二输入信号及该选择信号来在一中间节点处产生一位准移位信号。该交叉耦合电路包括一第一对并联晶体管及一第二对并联晶体管。该设备进一步包括输出驱动器电路,其经组态以基于该位准移位信号来产生该第二电压域之输出信号。
Abstract in simplified Chinese:本发明实施例提供一种使用升压电路之位准位移器电路。该升压电路经组态以在跨该位准位移器电路之电压域之高电压相差较大时改良该位准位移器电路之操作。电路设备包含内核位准位移器电路,其将输入信号之第一电压改变成输出信号之第二电压。该电路设备进一步包含第一升压电路,其耦合至该内核位准位移器电路且在该输入信号自低值转变成高值时产生施加于该内核位准位移器电路之第一暂态电压。该电路设备亦包含第二升压电路,其耦合至该内核位准位移器电路且在该输入信号自高值转变成低值时产生施加于该内核位准位移器电路之第二暂态电压。
Abstract in simplified Chinese:一种一次编程的记忆胞,包括:一选择电路、一第一反熔丝存储电路与一第二反熔丝存储电路。选择电路连接至一比特线与一字符线。第一反熔丝存储电路连接于一第一反熔丝控制线与该选择电路之间。第二反熔丝存储电路,连接于一第二反熔丝控制线与该选择电路之间。
Abstract in simplified Chinese:位准移位电路系统包含第一位准移位器及第二位准移位器。响应于输入信号之下降边缘过渡,第一位准移位器产生第一中间信号之初级过渡比第二位准移位器产生第二中间信号之二级过渡更快。响应于输入信号之上升边缘,第二位准移位器产生第二中间信号之初级过渡比第一位准移位器产生第一中间信号之二级过渡更快。提供输出切换电路系统以响应于第一中间信号之初级过渡及第二中间信号之初级过渡而在输出高电压位准与输出低电压位准之间切换输出信号。
Abstract in simplified Chinese:本发明提供一种可操作于低输入电压的电压准位转换电路,该电压准位转换电路包含:一第一开关组件,耦接于一第一输出端点;一第二开关组件,耦接于一第二输出端点;一第三开关组件,耦接于该第二输出端点与该第一输出端点;一第四开关组件,耦接于该第一输出端点与该第二输出端点;一第一电流源模块,用于在该第一开关组件与该第三开关组件导通时,使流经该第三开关组件的电流小于流经该第一开关组件的电流;以及一第二电流源模块,用于在该第二开关组件与该第四开关组件导通时,使流经该第四开关组件的电流小于流经该第二开关组件的电流。
Abstract in simplified Chinese:一种位准偏移电路,包含有:一第一晶体管,耦接于一第一参考电压,用以接收一第一电压输入信号;一第二晶体管,耦接于一第二参考电压;一第一二极管连接形式晶体管,耦接于该第二晶体管及该第一二极管连接形式晶体管之间;一第三晶体管,耦接于该第一参考电压及该第二晶体管,用以接收一第二电压输入信号;一第四晶体管,耦接于该第二参考电压及该第一晶体管;一第二二极管连接形式晶体管,耦接于该第四晶体管及该第三晶体管之间;以及一第五晶体管,耦接于该第二电压输入信号、该第一参考电压及该第四晶体管。
Abstract in simplified Chinese:一种负位准移位器包括一电压选择单元及至少一电压位准转换单元。若控制信号CON为第一値,则该电压选择单元可将一第一电压施加至一第一节点及将一第二电压施加至一第二节点,且若控制信号CON为第二値,则该电压选择单元可将一第三电压施加至该第一节点及将一第四电压施加至该第二节点。该至少一电压位准转换单元可连接至该第一节点及该第二节点,且借由使用该第一节点之一电压及该第二节点之一电压来转换一输入信号之一电压位准。
Abstract in simplified Chinese:一种数码电位转换器,用以将输入信号由低振幅转换至高振幅。此数码电位转换器包括用以拉高输入信号至较高电位之驱动信号的信号驱动电路。此驱动信号用来驱动输出电路,此输出电路产生具有高电压电源之振幅之输出信号。此输出电路改善了输入驱动信号的性能。另外加入信号步进器,用以分两段拉高输出电压,使性能更加改善。
Abstract in simplified Chinese:一种电压转换电路包含一高压电路、一钳制电路、一输入电路以及一旁路电路。该高压电路电性连接于该高电压端。当该高电压端之电压准位大于电压源之电压准位时,该钳制电路可避免该高压电路之晶体管受到高电压应力。当该高电压端之电压准位小于NMOS晶体管之临界电压Vtn与PMOS晶体管之临界电压Vtp崩溃电压之总和之电压准位时,该旁路电路用来绕过该钳制电路。