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公开(公告)号:TWI701345B
公开(公告)日:2020-08-11
申请号:TW106108807
申请日:2017-03-17
申请人: 日商住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. , 日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人: 石井潤志 , ISHII, JUNJI , 村上慎悟 , MURAKAMI, SHINGO , 田中宏幸 , TANAKA, HIROYUKI , 鎌田隆弘 , KAMATA, TAKAHIRO , 寺尾俊昭 , TERAO, TOSHIAKI , 行延雅也 , YUKINOBU, MASAYA , 渡辺雄二 , WATANABE, YUJI , 谷光力 , TANIMITSU, TSUTOMU , 國房義之 , KUNIFUSA, YOSHIYUKI , 西山治男 , NISHIYAMA, HARUO
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公开(公告)号:TWI690381B
公开(公告)日:2020-04-11
申请号:TW107122217
申请日:2018-06-28
发明人: 六角広介 , ROKKAKU, HIROSUKE , 宇野友則 , UNO, TOMONORI , 淺井剛 , ASAI, TSUYOSHI
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公开(公告)号:TWI663263B
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:TW105138749
申请日:2016-11-25
发明人: 廖健鴻 , LIAO, CHIEN HUNG , 薄慧雲 , BOR, HUI YUN , 倪國裕 , NIEH, CUO YO , 魏肇男 , WEI, CHAO NAN , 陳思漢 , CHEN, SZ HEN , 朱柏翰 , CHU, PO HAN
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公开(公告)号:TWI623420B
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:TW102140019
申请日:2013-11-05
发明人: 米勒 馬修J , MILLER, MATTHEW J. , 史潘格勒 麥可V , SPANGLER, MICHAEL V.
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公开(公告)号:TW201726936A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:TW105102091
申请日:2016-01-22
发明人: 唐志文 , TANG, CHIH WEN , 林致維 , LIN, CHIH WEI , 羅尚賢 , ROU, SHANG HSIEN
摘要: 本創作提供一種鎳合金靶材及其所濺鍍而成之鎳合金層。該鎳合金靶材包括鎳及細化金屬,以該鎳合金靶材之原子總數為基準,細化金屬之含量大於或等於5原子百分比且小於或等於15原子百分比,該細化金屬含有錸。藉由在鎳合金靶材中添加適量的錸,本創作不僅能確保該鎳合金靶材由單一FCC相所組成,更能有利於細緻化及均勻化鎳合金靶材之晶粒粒徑,使該鎳合金靶材的平均晶粒粒徑小於100微米,晶粒粒徑均勻度達20%以下;藉此令濺鍍而成之鎳合金層可適用於作為垂直式磁記錄媒體的晶種層,從而提升其記錄密度。
简体摘要: 本创作提供一种镍合金靶材及其所溅镀而成之镍合金层。该镍合金靶材包括镍及细化金属,以该镍合金靶材之原子总数为基准,细化金属之含量大于或等于5原子百分比且小于或等于15原子百分比,该细化金属含有铼。借由在镍合金靶材中添加适量的铼,本创作不仅能确保该镍合金靶材由单一FCC相所组成,更能有利于细致化及均匀化镍合金靶材之晶粒粒径,使该镍合金靶材的平均晶粒粒径小于100微米,晶粒粒径均匀度达20%以下;借此令溅镀而成之镍合金层可适用于作为垂直式磁记录媒体的晶种层,从而提升其记录密度。
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公开(公告)号:TWI583801B
公开(公告)日:2017-05-21
申请号:TW105104218
申请日:2016-02-15
申请人: 日立金屬股份有限公司 , HITACHI METALS, LTD.
发明人: 村田英夫 , MURATA, HIDEO
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公开(公告)号:TW201700742A
公开(公告)日:2017-01-01
申请号:TW105104154
申请日:2016-02-05
发明人: 宇野未由紀 , UNO, MIYUKI , 長谷川浩之 , HASEGAWA, HIROYUKI
IPC分类号: C22C19/03 , C22C30/00 , C22C38/10 , C23C14/34 , H01F10/14 , H01F41/18 , G11B5/738 , G11B5/851
摘要: 本發明係提供一種可得到強磁通洩漏、低導磁率且具有高使用效率之Ni系合金濺鍍靶材料為目的,為了解決該課題而提供一種Ni系濺鍍靶材料,其係包含(NiX-FeY-CoZ)-M合金(在此,X、Y及Z係各自表示對於Ni、Fe及Co之合計含量之Ni之含量之比率、對於Ni、Fe及Co之合計含量之Fe之含量之比率、及對於Ni、Fe及Co之合計含量之Co之含量之比率)而成之Ni系濺鍍靶材料,其特徵為:前述合金係作為M元素而含有合計2~20at.%之選自W、Mo、Ta、Cr、V、Nb中之1種或2種以上之M1元素、合計0~10at.%之選自Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C、Ru中之1種或2種以上之M2元素,剩餘部分由Ni、Fe、Co及不可避免之雜質所構成,且當設為X+Y+Z=100時,20≦X≦98、0≦Y≦50、0≦Z≦60,且前述合金係具有Ni-M相作為基底之微組織,於前述基底中具有Fe相及/或Co相為分散之微組織。
简体摘要: 本发明系提供一种可得到强磁通泄漏、低导磁率且具有高使用效率之Ni系合金溅镀靶材料为目的,为了解决该课题而提供一种Ni系溅镀靶材料,其系包含(NiX-FeY-CoZ)-M合金(在此,X、Y及Z系各自表示对于Ni、Fe及Co之合计含量之Ni之含量之比率、对于Ni、Fe及Co之合计含量之Fe之含量之比率、及对于Ni、Fe及Co之合计含量之Co之含量之比率)而成之Ni系溅镀靶材料,其特征为:前述合金系作为M元素而含有合计2~20at.%之选自W、Mo、Ta、Cr、V、Nb中之1种或2种以上之M1元素、合计0~10at.%之选自Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、Cu、P、C、Ru中之1种或2种以上之M2元素,剩余部分由Ni、Fe、Co及不可避免之杂质所构成,且当设为X+Y+Z=100时,20≦X≦98、0≦Y≦50、0≦Z≦60,且前述合金系具有Ni-M相作为基底之微组织,于前述基底中具有Fe相及/或Co相为分散之微组织。
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公开(公告)号:TW201643266A
公开(公告)日:2016-12-16
申请号:TW104118803
申请日:2015-06-10
发明人: 郭世明 , KUO, SHIHMING , 李名言 , LI, MINGYEN , 潘永村 , PAN, YUNGCHUN
摘要: 一種耐蝕高鎳合金的製造方法,包括以下步驟。首先提供一高鎳合金鑄胚。接著於800℃~1200℃的溫度對高鎳合金鑄胚進行加熱,並於前述溫度持溫0.5小時~5小時。然後對高鎳合金鑄胚進行熱軋加工,以得到一高鎳合金材料,其中熱軋加工的完軋溫度介於710℃~1040℃之間。
简体摘要: 一种耐蚀高镍合金的制造方法,包括以下步骤。首先提供一高镍合金铸胚。接着于800℃~1200℃的温度对高镍合金铸胚进行加热,并于前述温度持温0.5小时~5小时。然后对高镍合金铸胚进行热轧加工,以得到一高镍合金材料,其中热轧加工的完轧温度介于710℃~1040℃之间。
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公开(公告)号:TWI548752B
公开(公告)日:2016-09-11
申请号:TW101119875
申请日:2012-06-01
发明人: 倪 漢H , NEE, HAN H.
IPC分类号: C22C19/03 , B01J23/755 , G21C3/42 , G21B3/00
CPC分类号: C22C19/03 , B22F9/08 , B22F2998/10 , C01B3/001 , C01B3/0031 , C22C1/04 , C22C1/0433 , C22C30/00 , G21B3/002 , H05B1/023 , Y02E60/327 , B22F1/0088 , B22F9/04
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公开(公告)号:TW201542832A
公开(公告)日:2015-11-16
申请号:TW104108717
申请日:2015-03-19
申请人: 東邦鈦股份有限公司 , TOHO TITANIUM CO., LTD.
发明人: 六角廣介 , ROKKAKU, HIROSUKE , 淺井剛 , ASAI, TSUYOSHI
摘要: 提供一種鎳粉末,其在疊層陶瓷電容器的製造步驟中具有優異的燒結特性,可防止疊層陶瓷電容器的電極層與介電體層之間的剝離、電極層的裂痕之類缺陷的產生。該鎳粉末含有1.0~5.0質量%的硫黃,個數50%直徑設為0.09μm以下。
简体摘要: 提供一种镍粉末,其在叠层陶瓷电容器的制造步骤中具有优异的烧结特性,可防止叠层陶瓷电容器的电极层与介电体层之间的剥离、电极层的裂痕之类缺陷的产生。该镍粉末含有1.0~5.0质量%的硫黄,个数50%直径设为0.09μm以下。
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