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    有機電致發光裝置之製造方法、有機電致發光裝置及電子機器
    2.
    发明专利
    有機電致發光裝置之製造方法、有機電致發光裝置及電子機器 审中-公开
    有机电致发光设备之制造方法、有机电致发光设备及电子机器

    公开(公告)号：TW202026454A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW109100337

    申请日：2020-01-06

    申请人： 日商精工愛普生股份有限公司 ,  SEIKO EPSON CORPORATION

    发明人： 深川剛史 ,  FUKAGAWA, TAKEFUMI ,  赤川卓 ,  AKAGAWA, SUGURU ,  野澤陵一 ,  NOZAWA, RYOICHI

    IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50

    摘要： 本發明之課題在於提供一種抑制品質可靠性降低之有機電致發光裝置之製造方法、有機電致發光裝置及電子機器。 本發明之有機電致發光裝置之製造方法具有：基板；於上述基板上形成有機電致發光元件之步驟；於上述有機電致發光元件上，藉由使用電漿之化學氣相沈積法形成以包含氮之矽系無機材料為主體之第1層的步驟；及於上述第1層上，藉由使用電漿之原子層沈積法形成以氧化矽為主體之第2層的步驟。

    简体摘要： 本发明之课题在于提供一种抑制品质可靠性降低之有机电致发光设备之制造方法、有机电致发光设备及电子机器。 本发明之有机电致发光设备之制造方法具有：基板；于上述基板上形成有机电致发光组件之步骤；于上述有机电致发光组件上，借由使用等离子之化学气相沉积法形成以包含氮之硅系无机材料为主体之第1层的步骤；及于上述第1层上，借由使用等离子之原子层沉积法形成以氧化硅为主体之第2层的步骤。

    含矽膜的高溫原子層沉積
    4.
    发明专利
    含矽膜的高溫原子層沉積 审中-公开
    含硅膜的高温原子层沉积

    公开(公告)号：TW202018116A

    公开(公告)日：2020-05-16

    申请号：TW107120415

    申请日：2017-01-19

    申请人： 美商慧盛材料美國責任有限公司 ,  VERSUM MATERIALS US, LLC

    发明人： 王美良 ,  WANG,MEILIANG ,  雷新建 ,  LEI,XINJIAN ,  馬里卡裘南艾紐帕馬 ,  MALLIKARJUNAN,ANUPAMA ,  錢德拉哈里賓 ,  CHANDRA,HARIPIN ,  韓冰 ,  HAN,BING

    IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

    摘要： 本發提供一種以原子層沉積製程於650°C或更高的一或更多溫度下沉積氧化矽膜的方法及組合物。於一態樣中，提供一種沉積氧化矽膜或材料的方法，其包含以下步驟：將基材提供於反應器中；將選自由本文所述的具有式I及II的化合物之群組中的至少一鹵基矽氧烷前驅物引進該反應器；以洗淨氣體洗淨該反應器；將氧來源引進該反應器；及以洗淨氣體洗淨該反應器；而且其中將該等步驟重複至沉積預期厚度的氧化矽為止而且該製程係於介於約650至1000°C的一或更多溫度下進行。

    简体摘要： 本发提供一种以原子层沉积制程于650°C或更高的一或更多温度下沉积氧化硅膜的方法及组合物。于一态样中，提供一种沉积氧化硅膜或材料的方法，其包含以下步骤：将基材提供于反应器中；将选自由本文所述的具有式I及II的化合物之群组中的至少一卤基硅氧烷前驱物引进该反应器；以洗净气体洗净该反应器；将氧来源引进该反应器；及以洗净气体洗净该反应器；而且其中将该等步骤重复至沉积预期厚度的氧化硅为止而且该制程系于介于约650至1000°C的一或更多温度下进行。

    在基材上形成鈍化層的方法
    6.
    发明专利
    在基材上形成鈍化層的方法 审中-公开
    在基材上形成钝化层的方法

    公开(公告)号：TW202003902A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108115155

    申请日：2019-05-01

    申请人： 英商SPTS科技公司 ,  SPTS TECHNOLOGIES LIMITED

    发明人： 格林姆斯 麥可 ,  GRIMES, MICHAEL ,  林玉元 ,  LIN, YUYUAN

    IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/40

    摘要： 根據本發明，提供一種在一基材上形成一鈍化層之方法。該方法包含以下步驟： a) 在一處理腔室中提供一基材，該基材包含一金屬表面，其中該金屬表面為一銅、錫或銀表面，或一包含銅、錫或銀中之一者或多者的合金化表面； b) 藉由氣相沈積將至少一有機層沈積於該金屬表面上，由一有機前驅體形成之該有機層包含： 一第一官能團，其包含以下至少一者：氧、氮、磷、硫、硒、碲，或矽；及 一第二官能團，其選自羥基(-OH)或羧基(COOH)； 其中該第一官能團吸附於該金屬表面上； 以及 c) 藉由氣相沈積將至少一無機層沈積於該有機層上，其中該第二官能團作為該無機層之一附著位置。

    简体摘要： 根据本发明，提供一种在一基材上形成一钝化层之方法。该方法包含以下步骤： a) 在一处理腔室中提供一基材，该基材包含一金属表面，其中该金属表面为一铜、锡或银表面，或一包含铜、锡或银中之一者或多者的合金化表面； b) 借由气相沉积将至少一有机层沉积于该金属表面上，由一有机前驱体形成之该有机层包含： 一第一官能团，其包含以下至少一者：氧、氮、磷、硫、硒、碲，或硅；及 一第二官能团，其选自羟基(-OH)或羧基(COOH)； 其中该第一官能团吸附于该金属表面上； 以及 c) 借由气相沉积将至少一无机层沉积于该有机层上，其中该第二官能团作为该无机层之一附着位置。