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公开(公告)号：TWI700386B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW107139538
申请日：2018-11-07
发明人： 辛昌學 , SHIN, CHANG HAK , 崔暎喆 , CHOI, YOUNG CHUL
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/24 , H01L21/205
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公开(公告)号：TW202026455A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108106393
申请日：2019-02-26
发明人： 彭浩 , PENG, HAO , 李昭 , LI, ZHAO , 朱 宏斌 , ZHU, HONGBIN , 萬先進 , WAN, XIANJIN , 李遠 , LI, YUAN , 周烽 , ZHOU, FENG , 胡凱 , HU, KAI , 魏君 , WEI, JUN , 蔡祥瑩 , CAI, XIANGYING , 胡瑤 , HU, YAO
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
摘要： 本發明涉及一種半導體處理設備及其控制方法，該半導體處理設備包括處理腔室，該處理腔室內具有兩個以上反應區域，各反應區域具有獨立的氣路模組，該控制方法包括：在進行半導體處理的過程中，保持向各反應區域內通入氣體的迴圈週期同步。本發明的半導體處理設備及其控制方法，能夠控制各反應區域內通入的反應氣體的迴圈週期保持一致，使得同一時間向不同的反應區域內通入的氣體相同，避免各反應區域之間的氣體發生干擾，從而提高產品良率。
简体摘要： 本发明涉及一种半导体处理设备及其控制方法，该半导体处理设备包括处理腔室，该处理腔室内具有两个以上反应区域，各反应区域具有独立的气路模块，该控制方法包括：在进行半导体处理的过程中，保持向各反应区域内通入气体的循环周期同步。本发明的半导体处理设备及其控制方法，能够控制各反应区域内通入的反应气体的循环周期保持一致，使得同一时间向不同的反应区域内通入的气体相同，避免各反应区域之间的气体发生干扰，从而提高产品良率。
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公开(公告)号：TWI696722B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107122800
申请日：2018-07-02
发明人： 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 佐佐木𨺓史 , SASAKI, TAKAFUMI , 三村英俊 , MIMURA, HIDETOSHI , 岡嶋優作 , OKAJIMA, YUSAKU
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/67 , H01L21/673
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公开(公告)号：TW202022148A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107145276
申请日：2018-12-14
发明人： 邱柏凱 , CHIU, PO-KAI , 蕭健男 , HSIAO, CHIEN-NAN , 陳峰志 , CHEN, FONG-ZHI , 林建寶 , LIN, CHIEN-PAO , 蔣東堯 , CHIANG, DON-YAU , 鍾朝安 , JONG, CHAO-AN , 楊錦添 , YANG, CHIN-TIEN
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01J37/305 , H01L21/02
摘要： 一種二維材料之製造方法，包含以下步驟：於一基板進行一鍍膜製程形成一過渡金屬前驅物之一薄膜；以離子拋光(ion milling)對該薄膜進行一減薄製程；以及，以化學氣相沉積法進行該減薄薄膜與硫族化物之反應，形成具有過渡金屬二硫屬化物(Transition metal dichalcogenides, TMDs)之薄膜材料。
简体摘要： 一种二维材料之制造方法，包含以下步骤：于一基板进行一镀膜制程形成一过渡金属前驱物之一薄膜；以离子抛光(ion milling)对该薄膜进行一减薄制程；以及，以化学气相沉积法进行该减薄薄膜与硫族化物之反应，形成具有过渡金属二硫属化物(Transition metal dichalcogenides, TMDs)之薄膜材料。
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公开(公告)号：TWI694518B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107132096
申请日：2018-09-12
发明人： 岡嶋優作 , OKAJIMA, YUSAKU , 佐佐木隆史 , SASAKI, TAKAFUMI , 吉田秀成 , YOSHIDA, HIDENARI , 西堂周平 , SAIDO, SHUHEI , 石坂光範 , ISHISAKA, MITSUNORI , 三村英俊 , MIMURA, HIDETOSHI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44
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公开(公告)号：TW202018116A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107120415
申请日：2017-01-19
发明人： 王美良 , WANG,MEILIANG , 雷新建 , LEI,XINJIAN , 馬里卡裘南艾紐帕馬 , MALLIKARJUNAN,ANUPAMA , 錢德拉哈里賓 , CHANDRA,HARIPIN , 韓冰 , HAN,BING
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/02
摘要： 本發提供一種以原子層沉積製程於650°C或更高的一或更多溫度下沉積氧化矽膜的方法及組合物。於一態樣中，提供一種沉積氧化矽膜或材料的方法，其包含以下步驟：將基材提供於反應器中；將選自由本文所述的具有式I及II的化合物之群組中的至少一鹵基矽氧烷前驅物引進該反應器；以洗淨氣體洗淨該反應器；將氧來源引進該反應器；及以洗淨氣體洗淨該反應器；而且其中將該等步驟重複至沉積預期厚度的氧化矽為止而且該製程係於介於約650至1000°C的一或更多溫度下進行。
简体摘要： 本发提供一种以原子层沉积制程于650°C或更高的一或更多温度下沉积氧化硅膜的方法及组合物。于一态样中，提供一种沉积氧化硅膜或材料的方法，其包含以下步骤：将基材提供于反应器中；将选自由本文所述的具有式I及II的化合物之群组中的至少一卤基硅氧烷前驱物引进该反应器；以洗净气体洗净该反应器；将氧来源引进该反应器；及以洗净气体洗净该反应器；而且其中将该等步骤重复至沉积预期厚度的氧化硅为止而且该制程系于介于约650至1000°C的一或更多温度下进行。
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公开(公告)号：TWI693299B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW105114480
申请日：2016-05-11
发明人： 松本竜弥 , MATSUMOTO, TATSUYA , 鷲尾圭亮 , WASHIO, KEISUKE
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/50
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公开(公告)号：TWI691412B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW108111189
申请日：2015-05-28
申请人： 日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人： 三村寿文 , MIMURA, TOSHIFUMI , 鈴木悠太 , SUZUKI, YUUTA , 永縄智史 , NAGANAWA, SATOSHI
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公开(公告)号：TW202014549A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108130791
申请日：2019-08-28
发明人： 錢德拉 哈里賓 , CHANDRA, HARIPIN , 雷 新建 , LEI, XINJIAN , 金武性 , KIM, MOO-SUNG
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/513 , C23C16/34
摘要： 本發明揭示出一種組合物及將該組合物使用在電子裝置之製造的方法。一種用以沉積出高品質氮化矽或摻雜碳的氮化矽之化合物、組合物及方法。
简体摘要： 本发明揭示出一种组合物及将该组合物使用在电子设备之制造的方法。一种用以沉积出高品质氮化硅或掺杂碳的氮化硅之化合物、组合物及方法。
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公开(公告)号：TW202010746A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108121963
申请日：2019-06-24
发明人： 尼斯里 湯瑪士 , KNISLEY, THOMAS , 薩利 馬克 , SALY, MARK , 湯普森 大衛 , THOMPSON, DAVID
摘要： 描述含錫前驅物與形成含錫薄膜之方法。錫前驅物具有錫-二氮雜二烯鍵，且為同配位基式或異配位基式。適合的反應物用於提供下述其中一者：金屬錫膜或包括氧化物、氮化物、碳化物、硼化物及/或矽化物之一或多者的膜。也描述形成三元材料的方法，該三元材料包括錫以及下述之二者或更多者：氧、氮、碳、硼、矽、鈦、釕及/或鎢。
简体摘要： 描述含锡前驱物与形成含锡薄膜之方法。锡前驱物具有锡-二氮杂二烯键，且为同配位基式或异配位基式。适合的反应物用于提供下述其中一者：金属锡膜或包括氧化物、氮化物、碳化物、硼化物及/或硅化物之一或多者的膜。也描述形成三元材料的方法，该三元材料包括锡以及下述之二者或更多者：氧、氮、碳、硼、硅、钛、钌及/或钨。
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