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公开(公告)号:TW201742113A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:TW106106535
申请日:2017-02-24
申请人: 瑪森科技公司 , MATTSON TECHNOLOGY, INC.
发明人: 劉維華 , LIOU, WEI-HUA , 康俊彥 , KANG, CHUN-YEN , 芬尼阿波拉 維杰M , VANIAPURA, VIJAY M. , 凡屋 海奧M , PHAN-VU, HAI-AU M. , 馬 蕭明 , MA, SHAWMING
IPC分类号: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/47
CPC分类号: G03F7/42 , G03F7/423 , G03F7/427 , H01J2237/3342 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L22/24
摘要: 用於,例如在離子植入被提供之後,將一光阻從一基板移除的多個製程。在一實施例中,一製程可以包括放置一具有一總體光阻的基板及一在一處理室中形成於該總體光阻上的外殼。該製程可以包括在該處理室中初始化一第一剝離製程。該製程可以包括在該第一剝離製程期間擷取一與一電漿相關的光發射訊號。該製程可以包括至少部份地基於該光發射訊號識別該第一剝離製程的一端點。該製程可以包括至少部份地基於該端點終止該第一剝離製程。該製程可以包括初始化一第二剝離製程以將該光阻從該基板移除。
简体摘要: 用于,例如在离子植入被提供之后,将一光阻从一基板移除的多个制程。在一实施例中,一制程可以包括放置一具有一总体光阻的基板及一在一处理室中形成于该总体光阻上的外壳。该制程可以包括在该处理室中初始化一第一剥离制程。该制程可以包括在该第一剥离制程期间截取一与一等离子相关的光发射信号。该制程可以包括至少部份地基于该光发射信号识别该第一剥离制程的一端点。该制程可以包括至少部份地基于该端点终止该第一剥离制程。该制程可以包括初始化一第二剥离制程以将该光阻从该基板移除。
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公开(公告)号:TW201824402A
公开(公告)日:2018-07-01
申请号:TW106132443
申请日:2017-09-21
发明人: 高橋弘明 , TAKAHASHI, HIROAKI , 岩畑翔太 , IWAHATA, SHOTA
IPC分类号: H01L21/47
摘要: 本發明提供一種一面抑制形成於基板上之結構物之劣化、一面有效地去除聚合物等有機物之技術。 於改質處理部10中,藉由對表面殘存有聚合物等有機物之基板90照射UV,而將聚合物等有機物改質。其後,於去除液處理部20中,藉由向經改質處理之基板90供給去除液,而去除聚合物等有機物。
简体摘要: 本发明提供一种一面抑制形成于基板上之结构物之劣化、一面有效地去除聚合物等有机物之技术。 于改质处理部10中,借由对表面残存有聚合物等有机物之基板90照射UV,而将聚合物等有机物改质。其后,于去除液处理部20中,借由向经改质处理之基板90供给去除液,而去除聚合物等有机物。
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公开(公告)号:TWI688012B
公开(公告)日:2020-03-11
申请号:TW107108318
申请日:2018-03-12
发明人: 施信益 , SHIH, SHING YIH
IPC分类号: H01L21/467 , H01L21/47 , H01L21/471
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公开(公告)号:TW201720880A
公开(公告)日:2017-06-16
申请号:TW106110598
申请日:2015-01-14
发明人: 恰達維卡塔 高寶 瑞迪 , CHADA,VENKATA GOPAL REDDY , 姚暉蓉 , YAO,HUIRONG , 帕曼班曼尼朗桑那 , PADMANABAN,MUNIRATHNA , 趙俊衍 , CHO,JOONYEON , 沃佛伊莉莎貝斯 , WOLFER,ELIZABETH , 戴爾西斯艾爾伯托 D , DIOSES,ALBERTO D. , 穆勒賽勒門 K , MULLEN,SALEM K.
CPC分类号: H01L21/02172 , G03F7/0042 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02142 , H01L21/02282 , H01L21/31133 , H01L21/47 , H01L21/477
摘要: 本發明係關於新穎組合物,其包含選自至少一種多金屬氧酸鹽、至少一種雜多金屬氧酸鹽及其混合物之群之金屬組分;及至少一種有機組分。本發明亦關於製造奈米棒陣列以及奈米棒材料及薄膜之方法。本發明亦關於形成富含金屬氧化物薄膜之新穎組合物,及亦關於填充通孔或溝槽、反向填充通孔或溝槽及底層成像之方法。該等材料廣泛用於許多工業之製造應用中,包括半導體裝置、光電裝置及儲能工業。
简体摘要: 本发明系关于新颖组合物,其包含选自至少一种多金属氧酸盐、至少一种杂多金属氧酸盐及其混合物之群之金属组分;及至少一种有机组分。本发明亦关于制造奈米棒数组以及奈米棒材料及薄膜之方法。本发明亦关于形成富含金属氧化物薄膜之新颖组合物,及亦关于填充通孔或沟槽、反向填充通孔或沟槽及底层成像之方法。该等材料广泛用于许多任务业之制造应用中,包括半导体设备、光电设备及储能工业。
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公开(公告)号:TWI697940B
公开(公告)日:2020-07-01
申请号:TW106106535
申请日:2017-02-24
申请人: 美商得昇科技股份有限公司 , MATTSON TECHNOLOGY, INC. , 大陸商北京屹唐半導體科技有限公司 , BEIJING E-TOWN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人: 劉維華 , LIOU, WEI-HUA , 康俊彥 , KANG, CHUN-YEN , 芬尼阿波拉 維杰M , VANIAPURA, VIJAY M. , 凡屋 海奧M , PHAN-VU, HAI-AU M. , 馬 蕭明 , MA, SHAWMING
IPC分类号: H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/47
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公开(公告)号:TW201837086A
公开(公告)日:2018-10-16
申请号:TW106110959
申请日:2017-03-31
申请人: 奇美實業股份有限公司 , CHI MEI CORPORATION
发明人: 吳明儒 , WU, MING-JU , 施俊安 , SHIH, CHUN-AN
IPC分类号: C08G77/04 , C08K5/548 , C08K5/549 , G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/022 , G03F7/039 , H01L21/47 , H01L27/12 , G02B6/02 , G02F1/1333 , H05B33/22 , H01L51/52
摘要: 本發明係有關一種正型感光性聚矽氧烷組成物,用於形成TFT基板之平坦化膜或層間絕緣膜,或光波導路芯材或包覆材之保護膜,其具有耐化學性佳之特性。該正型感光性矽氧烷組成物包含聚矽氧烷(A)、鄰萘醌二疊氮磺酸酯(B)、溶劑(C)及矽烷化合物(D)。
简体摘要: 本发明系有关一种正型感光性聚硅氧烷组成物,用于形成TFT基板之平坦化膜或层间绝缘膜,或光波导路芯材或包覆材之保护膜,其具有耐化学性佳之特性。该正型感光性硅氧烷组成物包含聚硅氧烷(A)、邻萘醌二叠氮磺酸酯(B)、溶剂(C)及硅烷化合物(D)。
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公开(公告)号:TW201513232A
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:TW103121805
申请日:2014-06-25
申请人: 富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人: 龍田岳一 , TATSUTA, TAKEICHI
CPC分类号: H05K1/0269 , B41J11/0015 , H05K3/1208 , H05K3/125 , H05K2203/1173 , H05K2203/163
摘要: 圖案品質管理圖表具備:圖表用基材,包含與藉由第1區域及第2區域而圖案化的基材相同的材料,所述第1區域對用於圖案形成的功能液具有規定的親和性,所述第2區域對用於圖案形成的功能液具有比規定的親和性低的親和性;以及至少1個單元區域群組,形成於圖表用基材的表面上,且,單元區域群組包含至少1個單元區域,所述至少1個單元區域包含周圍被第2區域包圍的第1區域,單元區域具有如下的形狀及大小:在以規定的供給條件來對單元區域內供給規定供給量範圍內的功能液時,功能液不會溢出至周圍的第2區域且單元區域內全部被功能液佈滿;在以規定的供給條件來對單元區域內供給比規定供給量範圍少的供給量的功能液時,單元區域內的一部分未被功能液佈滿;在以規定的供給條件來對單元區域內供給比規定供給量範圍多的 供給量的功能液時,功能液的一部分溢出至周圍的第2區域。
简体摘要: 图案品质管理图表具备:图表用基材,包含与借由第1区域及第2区域而图案化的基材相同的材料,所述第1区域对用于图案形成的功能液具有规定的亲和性,所述第2区域对用于图案形成的功能液具有比规定的亲和性低的亲和性;以及至少1个单元区域群组,形成于图表用基材的表面上,且,单元区域群组包含至少1个单元区域,所述至少1个单元区域包含周围被第2区域包围的第1区域,单元区域具有如下的形状及大小:在以规定的供给条件来对单元区域内供给规定供给量范围内的功能液时,功能液不会溢出至周围的第2区域且单元区域内全部被功能液布满;在以规定的供给条件来对单元区域内供给比规定供给量范围少的供给量的功能液时,单元区域内的一部分未被功能液布满;在以规定的供给条件来对单元区域内供给比规定供给量范围多的 供给量的功能液时,功能液的一部分溢出至周围的第2区域。
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