公开(公告)号：US06531375B1

公开(公告)日：2003-03-11

申请号：US09955375

申请日：2001-09-18

申请人： Kenneth J. Giewont ,  Eric Adler ,  Neena Garg ,  Michael J. Hargrove ,  Charles W. Koburger, III ,  Junedong Lee ,  Dominic J. Schepis ,  Isabel Ying Yang

发明人： Kenneth J. Giewont ,  Eric Adler ,  Neena Garg ,  Michael J. Hargrove ,  Charles W. Koburger, III ,  Junedong Lee ,  Dominic J. Schepis ,  Isabel Ying Yang

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L21/76264 ,  H01L21/76267

摘要： A novel method for forming substrate contact regions on a SOI substrate without requiring additional space, and in order to provide lower diffusion capacitance. The method utilizes known semiconductor processing techniques. This method for selectively modifying the BOX region of a SOI substrate involves first providing a silicon substrate. Then, ion implanting the base using SIMOX techniques (e.g. O2 implant) is accomplished. Next, the substrate is photopatterned to protect the modified BOX region. Then, further ion implanting using a “touch-up” O2 implant is accomplished, thereby resulting in a good quality BOX as typically practiced. The final step is annealing the substrate. The area of the substrate, which had a mask present, would not receive the “touch-up” O2 implant (second ion implant), which in turn would result in a leaky BOX.

摘要翻译： 一种用于在SOI衬底上形成衬底接触区而不需要额外空间的新方法，并且为了提供较低的扩散电容。 该方法利用已知的半导体处理技术。 这种用于选择性地修改SOI衬底的BOX区域的方法包括首先提供硅衬底。 然后，使用SIMOX技术（例如，O 2注入）离子注入基底。 接下来，对基板进行光图案化以保护修改的BOX区域。 然后，使用“接触式”O2注入进一步进行离子注入，从而得到通常实施的良好质量BOX。 最后一步是退火基板。 存在掩模的衬底的区域将不会接收“接触”O 2注入（第二离子注入），这反过来将导致泄漏BOX。