公开(公告)号：US07297605B2

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：US10842308

申请日：2004-05-10

申请人： Amitabh Jain ,  Gordon Pollack

发明人： Amitabh Jain ,  Gordon Pollack

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides, in one embodiment, a process for fabricating a metal oxide semiconductor (MOS) device (100). The process includes forming a gate (120) on a substrate (105) and forming a source/drain extension (160) in the substrate (105). Forming the source/drain extension (160) comprises an abnormal-angled dopant implantation (135) and a dopant implantation (145). The abnormal-angled dopant implantation (135) uses a first acceleration energy and tilt angle of greater than about zero degrees. The dopant implantation (145) uses a second acceleration energy that is higher than the first acceleration energy. The process also includes performing an ultrahigh high temperature anneal of the substrate (105), wherein a portion (170) of the source/drain extension (160) is under the gate (120).

摘要翻译： 本发明在一个实施例中提供一种用于制造金属氧化物半导体（MOS）器件（100）的工艺。 该方法包括在衬底（105）上形成栅极（120）并在衬底（105）中形成源极/漏极延伸部分（160）。 形成源极/漏极延伸部分（160）包括异常倾斜的掺杂剂注入（135）和掺杂剂注入（145）。 异常倾斜的掺杂剂注入（135）使用大于约零度的第一加速能量和倾斜角。 掺杂剂注入（145）使用高于第一加速能量的第二加速能量。 该工艺还包括执行衬底（105）的超高温退火，其中源极/漏极延伸部（160）的部分（170）在栅极（120）下方。

公开(公告)号：US07479668B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11370339

申请日：2006-03-08

申请人： Amitabh Jain ,  Gordon Pollack

发明人： Amitabh Jain ,  Gordon Pollack

IPC分类号： H01L31/112

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides, in one embodiment, a process for fabricating a metal oxide semiconductor (MOS) device (100). The process includes forming a gate (120) on a substrate (105) and forming a source/drain extension (160) in the substrate (105). Forming the source/drain extension (160) comprises an abnormal-angled dopant implantation (135) and a dopant implantation (145). The abnormal-angled dopant implantation (135) uses a first acceleration energy and tilt angle of greater than about zero degrees. The dopant implantation (145) uses a second acceleration energy that is higher than the first acceleration energy. The process also includes performing an ultrahigh high temperature anneal of the substrate (105), wherein a portion (170) of the source/drain extension (160) is under the gate (120).

摘要翻译： 本发明在一个实施例中提供一种用于制造金属氧化物半导体（MOS）器件（100）的工艺。 该方法包括在衬底（105）上形成栅极（120）并在衬底（105）中形成源极/漏极延伸部分（160）。 形成源极/漏极延伸部分（160）包括异常倾斜的掺杂剂注入（135）和掺杂剂注入（145）。 异常倾斜的掺杂剂注入（135）使用大于约零度的第一加速能量和倾斜角。 掺杂剂注入（145）使用高于第一加速能量的第二加速能量。 该工艺还包括执行衬底（105）的超高温退火，其中源极/漏极延伸部（160）的部分（170）在栅极（120）下方。

公开(公告)号：US20050250288A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：US10842308

申请日：2004-05-10

申请人： Ambitabh Jain ,  Gordon Pollack

发明人： Ambitabh Jain ,  Gordon Pollack

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides, in one embodiment, a process for fabricating a metal oxide semiconductor (MOS) device (100). The process includes forming a gate (120) on a substrate (105) and forming a source/drain extension (160) in the substrate (105). Forming the source/drain extension (160) comprises an abnormal-angled dopant implantation (135) and a dopant implantation (145). The abnormal-angled dopant implantation (135) uses a first acceleration energy and tilt angle of greater than about zero degrees. The dopant implantation (145) uses a second acceleration energy that is higher than the first acceleration energy. The process also includes performing an ultrahigh high temperature anneal of the substrate (105), wherein a portion (170) of the source/drain extension (160) is under the gate (120).

摘要翻译： 本发明在一个实施例中提供一种用于制造金属氧化物半导体（MOS）器件（100）的工艺。 该方法包括在衬底（105）上形成栅极（120）并在衬底（105）中形成源极/漏极延伸部分（160）。 形成源极/漏极延伸部分（160）包括异常倾斜的掺杂剂注入（135）和掺杂剂注入（145）。 异常倾斜的掺杂剂注入（135）使用大于约零度的第一加速能量和倾斜角。 掺杂剂注入（145）使用高于第一加速能量的第二加速能量。 该工艺还包括执行衬底（105）的超高温退火，其中源极/漏极延伸部（160）的部分（170）在栅极（120）下方。

公开(公告)号：US20060177985A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11370339

申请日：2006-03-08

申请人： Ambitabh Jain ,  Gordon Pollack

发明人： Ambitabh Jain ,  Gordon Pollack

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： The present invention provides, in one embodiment, a process for fabricating a metal oxide semiconductor (MOS) device (100). The process includes forming a gate (120) on a substrate (105) and forming a source/drain extension (160) in the substrate (105). Forming the source/drain extension (160) comprises an abnormal-angled dopant implantation (135) and a dopant implantation (145). The abnormal-angled dopant implantation (135) uses a first acceleration energy and tilt angle of greater than about zero degrees. The dopant implantation (145) uses a second acceleration energy that is higher than the first acceleration energy. The process also includes performing an ultrahigh high temperature anneal of the substrate (105), wherein a portion (170) of the source/drain extension (160) is under the gate (120).

摘要翻译： 本发明在一个实施例中提供一种用于制造金属氧化物半导体（MOS）器件（100）的工艺。 该方法包括在衬底（105）上形成栅极（120）并在衬底（105）中形成源极/漏极延伸部分（160）。 形成源极/漏极延伸部分（160）包括异常倾斜的掺杂剂注入（135）和掺杂剂注入（145）。 异常倾斜的掺杂剂注入（135）使用大于约零度的第一加速能量和倾斜角。 掺杂剂注入（145）使用高于第一加速能量的第二加速能量。 该工艺还包括执行衬底（105）的超高温退火，其中源极/漏极延伸部（160）的部分（170）在栅极（120）下方。