公开(公告)号：US20120112782A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US12941652

申请日：2010-11-08

申请人： Chien-Li Kuo ,  Wen-Jung Liao ,  Jiun-Hau Liao ,  Min-Chin Hsieh ,  Chun-Liang Hou ,  Shuen-Cheng Lei

发明人： Chien-Li Kuo ,  Wen-Jung Liao ,  Jiun-Hau Liao ,  Min-Chin Hsieh ,  Chun-Liang Hou ,  Shuen-Cheng Lei

IPC分类号： G01R31/26

CPC分类号： G01R31/2644

摘要： A method for predicting tolerable contact-to-gate spacing is provided. At first, a wafer with a plurality of source/drain contacts are provided. Then, a plurality of testing gate lines are formed on the wafer by using a photomask. In one die, there are different contact-to-gate distances ranging from d+Δd to d−Δd wherein d is the standard spacing and Δd

摘要翻译： 提供了一种用于预测可接受的对门间距的方法。 首先，提供具有多个源极/漏极触点的晶片。 然后，通过使用光掩模在晶片上形成多条测试栅极线。 在一个模具中，从d +＆Dgr; d到d-＆Dgr; d的不同的接触到栅极距离，其中d是标准间距和＆Dgr; d

公开(公告)号：US08516400B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12941652

申请日：2010-11-08

申请人： Chien-Li Kuo ,  Wen-Jung Liao ,  Jiun-Hau Liao ,  Min-Chin Hsieh ,  Chun-Liang Hou ,  Shuen-Cheng Lei

发明人： Chien-Li Kuo ,  Wen-Jung Liao ,  Jiun-Hau Liao ,  Min-Chin Hsieh ,  Chun-Liang Hou ,  Shuen-Cheng Lei

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G01R31/2644

摘要： A method for predicting tolerable contact-to-gate spacing is provided. At first, a wafer with a plurality of source/drain contacts are provided. Then, a plurality of testing gate lines are formed on the wafer by using a photomask. In one die, there are different contact-to-gate distances ranging from d+Δd to d−Δd wherein d is the standard spacing and Δd

摘要翻译： 提供了一种用于预测可接受的对门间距的方法。 首先，提供具有多个源极/漏极触点的晶片。 然后，通过使用光掩模在晶片上形成多条测试栅极线。 在一个管芯中，从d + Deltad到d-Deltad有不同的接触到栅极距离，其中d是标准间距，Deltad

公开(公告)号：US20100135093A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12325747

申请日：2008-12-01

申请人： Chien-Li Kuo ,  Fu-Chao Liu ,  Chun-Liang Hou ,  Min-Chin Hsieh

发明人： Chien-Li Kuo ,  Fu-Chao Liu ,  Chun-Liang Hou ,  Min-Chin Hsieh

IPC分类号： G11C29/00 ,  G11C5/14

CPC分类号： G11C11/413 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/56008 ,  G11C2029/5604

摘要： An operating voltage tuning method for a static random access memory is disclosed. The static random access memory receives a periphery voltage and a memory cell voltage. The steps of the method mentioned above are shown as follows. First, perform a shmoo test on the static random access memory to obtain a shmoo test plot and a minimum operating voltage. Compare the minimum operating voltage with a preset specification. Position a specification position point on the line which the periphery voltage is equal to the memory cell voltage in the shmoo test plot corresponding to the preset specification. Fix one of the memory cell voltage and the periphery voltage and gradually decrease the other to test the static random access memory and obtain a failure bits distribution. Finally, tune process parameters of the static random access memory according to the specification position point and the failure bits distribution.

摘要翻译： 公开了一种用于静态随机存取存储器的工作电压调节方法。 静态随机存取存储器接收外围电压和存储单元电压。 上述方法的步骤如下所示。 首先，对静态随机存取存储器执行shmoo测试，以获得shmoo测试图和最小工作电压。 将最小工作电压与预设规格进行比较。 将规格位置点定位在外围电压等于对应于预设规格的shmoo测试图中的存储单元电压的线上。 修复存储单元电压和外围电压之一，并逐渐减小另一个以测试静态随机存取存储器并获得故障位分布。 最后，根据规格位置点和故障位分布调整静态随机存取存储器的进程参数。

公开(公告)号：US07715260B1

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US12325747

申请日：2008-12-01

申请人： Chien-Li Kuo ,  Fu-Chao Liu ,  Chun-Liang Hou ,  Min-Chin Hsieh

发明人： Chien-Li Kuo ,  Fu-Chao Liu ,  Chun-Liang Hou ,  Min-Chin Hsieh

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C11/413 ,  G11C29/02 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/56008 ,  G11C2029/5604

摘要： An operating voltage tuning method for a static random access memory is disclosed. The static random access memory receives a periphery voltage and a memory cell voltage. The steps of the method mentioned above are shown as follows. First, perform a shmoo test on the static random access memory to obtain a shmoo test plot and a minimum operating voltage. Compare the minimum operating voltage with a preset specification. Position a specification position point on the line which the periphery voltage is equal to the memory cell voltage in the shmoo test plot corresponding to the preset specification. Fix one of the memory cell voltage and the periphery voltage and gradually decrease the other to test the static random access memory and obtain a failure bits distribution. Finally, tune process parameters of the static random access memory according to the specification position point and the failure bits distribution.

摘要翻译： 公开了一种用于静态随机存取存储器的工作电压调节方法。 静态随机存取存储器接收外围电压和存储单元电压。 上述方法的步骤如下所示。 首先，对静态随机存取存储器执行shmoo测试，以获得shmoo测试图和最小工作电压。 将最小工作电压与预设规格进行比较。 将规格位置点定位在外围电压等于对应于预设规格的shmoo测试图中的存储单元电压的线上。 修复存储单元电压和外围电压之一，并逐渐减小另一个以测试静态随机存取存储器并获得故障位分布。 最后，根据规格位置点和故障位分布调整静态随机存取存储器的进程参数。