公开(公告)号：US20100133495A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12552826

申请日：2009-09-02

申请人： Chien-Min Lee ,  Ming-Jeng Huang ,  Jen-Chi Chuang ,  Jia-Yo Lin ,  Min-Chih Wang

发明人： Chien-Min Lee ,  Ming-Jeng Huang ,  Jen-Chi Chuang ,  Jia-Yo Lin ,  Min-Chih Wang

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： A phase change memory device is provided, including a substrate, a first dielectric layer disposed over the substrate, a first electrode disposed in the first dielectric layer, a second dielectric layer formed over the first dielectric layer, covering the first electrode, a heating electrode disposed in the second dielectric layer, contacting the first electrode, a phase change material layer disposed over the second dielectric layer, contacting the heating electrode, and a second electrode disposed over the phase change material layer. In one embodiment, the heating electrode includes a first portion contacting the first electrode and a second portion contacting the phase change material layer, and the second portion of the heating electrode includes metal silicides and the first portion of the heating electrode includes no metal silicides.

摘要翻译： 提供一种相变存储器件，包括：衬底，设置在衬底上的第一电介质层，设置在第一电介质层中的第一电极，形成在第一电介质层上的第二电介质层，覆盖第一电极;加热电极 设置在所述第二电介质层中，与所述第一电极接触，设置在所述第二电介质层上方的与所述加热电极接触的相变材料层和设置在所述相变材料层上的第二电极。 在一个实施例中，加热电极包括接触第一电极的第一部分和与相变材料层接触的第二部分，加热电极的第二部分包括金属硅化物，加热电极的第一部分不包括金属硅化物。

公开(公告)号：US20110312150A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13219568

申请日：2011-08-26

申请人： Chien-Min Lee ,  Ming-Jeng Huang ,  Jen-Chi Chuang ,  Jia-Yo Lin ,  Min-Chih Wang

发明人： Chien-Min Lee ,  Ming-Jeng Huang ,  Jen-Chi Chuang ,  Jia-Yo Lin ,  Min-Chih Wang

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： A phase change memory device is provided, including a substrate, a first dielectric layer disposed over the substrate, a first electrode disposed in the first dielectric layer, a second dielectric layer formed over the first dielectric layer, covering the first electrode, a heating electrode disposed in the second dielectric layer, contacting the first electrode, a phase change material layer disposed over the second dielectric layer, contacting the heating electrode, and a second electrode disposed over the phase change material layer. In one embodiment, the heating electrode includes a first portion contacting the first electrode and a second portion contacting the phase change material layer, and the second portion of the heating electrode includes metal silicides and the first portion of the heating electrode includes no metal silicides.

摘要翻译： 提供一种相变存储器件，包括：衬底，设置在衬底上的第一电介质层，设置在第一电介质层中的第一电极，形成在第一电介质层上的第二电介质层，覆盖第一电极;加热电极 设置在所述第二电介质层中，与所述第一电极接触，设置在所述第二电介质层上方的与所述加热电极接触的相变材料层和设置在所述相变材料层上的第二电极。 在一个实施例中，加热电极包括接触第一电极的第一部分和与相变材料层接触的第二部分，加热电极的第二部分包括金属硅化物，加热电极的第一部分不包括金属硅化物。

公开(公告)号：US20100213432A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：US12468699

申请日：2009-05-19

申请人： Jen-Chi Chuang ,  Ming-Jeng Huang ,  Chien-Min Lee ,  Jia-Yo Lin ,  Min-Chih Wang

发明人： Jen-Chi Chuang ,  Ming-Jeng Huang ,  Chien-Min Lee ,  Jia-Yo Lin ,  Min-Chih Wang

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： A method for forming a phase change memory device is disclosed. A substrate with a bottom electrode thereon is provided. A heating electrode and a dielectric layer are formed on the bottom electrode, wherein the heating electrode is surrounded by the dielectric layer. The heating electrode is etched to form recess in the dielectric layer. A phase change material is deposited on the dielectric layer, filling into the recess. The phase change material is polished to remove a portion of the phase change material exceeding the surface of the dielectric layer and a phase change layer is formed confined in the recess of the dielectric layer. A top electrode is formed on the phase change layer and the dielectric layer.

摘要翻译： 公开了一种形成相变存储器件的方法。 提供具有底部电极的基板。 在底部电极上形成加热电极和电介质层，其中加热电极被电介质层包围。 蚀刻加热电极以在电介质层中形成凹陷。 相变材料沉积在介电层上，填充到凹槽中。 抛光相变材料以除去超过介电层表面的一部分相变材料，并将相变层限制在电介质层的凹槽中。 在相变层和电介质层上形成顶部电极。