公开(公告)号：US06749903B2

公开(公告)日：2004-06-15

申请号：US10245208

申请日：2002-09-17

申请人： Douglas Eugene Weiss ,  James Patrick DiZio ,  Harvey William Kalweit ,  Roy G. Schlemmer ,  Bruce Alan Sventek

发明人： Douglas Eugene Weiss ,  James Patrick DiZio ,  Harvey William Kalweit ,  Roy G. Schlemmer ,  Bruce Alan Sventek

IPC分类号： B05D306

CPC分类号： H01J33/04

摘要： An apparatus for irradiating an article, particularly a multi-layer article, with electron beam radiation is provided. The apparatus contains a window having a short unit path length and allows for controlled irradiation of an article such that upper portions of the article receive significantly higher electron beam dosages than lower portions of the article. Such differential dosage allows for modification of an article comprising a coating composition that can be modified by electron beam irradiation on a substrate that is vulnerable to degradation from electron beam radiation. A method of irradiating an article with electron beams, and products manufactured using the apparatus and method of the invention, are also disclosed.

摘要翻译： 提供了一种用于用电子束辐射照射物品，特别是多层物品的设备。 该装置包含具有短的单位路径长度的窗口，并允许制品的受控照射，使得制品的上部比制品的下部接收明显更高的电子束剂量。 这种差异剂量允许修饰包含可以通过电子束照射在易受电子束辐射劣化的基底上的涂层组合物的制品。 还公开了用电子束照射物品的方法，以及使用本发明的装置和方法制造的产品。

公开(公告)号：US4364995A

公开(公告)日：1982-12-21

申请号：US231500

申请日：1981-02-04

申请人： George H. Crawford ,  Edward J. Downing ,  Roy G. Schlemmer

发明人： George H. Crawford ,  Edward J. Downing ,  Roy G. Schlemmer

IPC分类号： B32B15/088 ,  B32B15/08 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/56 ,  B32B15/04

CPC分类号： C23C14/562 ,  C23C14/0021 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31681 ,  Y10T428/31688 ,  Y10T428/31692 ,  Y10T428/31703

摘要： Most processes for the generation of metal oxide or metal sulfide films involved oxidation of existing metal layers or direct vapor deposition of the oxide or sulfide layer. These processes do not provide efficient control of film integrity, optical properties, and bonding. The use of a metal vapor deposition process in which a controlled amount of oxygen or sulfur containing gas or vapor is introduced into the metal vapor stream or portions enables formation of metal oxide or metal sulfide films with excellent control over the film properties.

摘要翻译： 用于产生金属氧化物或金属硫化物膜的大多数方法涉及现有金属层的氧化或氧化物或硫化物层的直接气相沉积。 这些方法不能提供对膜完整性，光学性质和粘合的有效控制。 使用金属气相沉积工艺，其中将受控量的含氧气或含硫气体或蒸气引入金属蒸气流或部分，可以形成具有优异的膜性能控制的金属氧化物或金属硫化物膜。

公开(公告)号：US4430366A

公开(公告)日：1984-02-07

申请号：US435489

申请日：1982-10-20

申请人： George H. Crawford ,  Edward J. Downing ,  Roy G. Schlemmer

发明人： George H. Crawford ,  Edward J. Downing ,  Roy G. Schlemmer

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/56 ,  C03C17/09 ,  C03C17/245 ,  C23C13/02 ,  C23C13/04

CPC分类号： C23C14/562 ,  C23C14/0021

摘要： Most processes for the generation of metal oxide or metal sulfide films involved oxidation of existing metal layers or direct vapor deposition of the oxide or sulfide layer. These processes do not provide efficient control of film integrity, optical properties, and bonding. The use of a metal vapor deposition process in which a controlled amount of oxygen or sulfur containing gas or vapor is introduced into the metal vapor stream or portions enables formation of metal oxide or metal sulfide films with excellent control over the film properties.

摘要翻译： 用于产生金属氧化物或金属硫化物膜的大多数方法涉及现有金属层的氧化或氧化物或硫化物层的直接气相沉积。 这些方法不能提供对膜完整性，光学性质和粘合的有效控制。 使用金属气相沉积工艺，其中将受控量的含氧气或含硫气体或蒸气引入金属蒸气流或部分，可以形成具有优异的膜性能控制的金属氧化物或金属硫化物膜。