公开(公告)号：US20160071835A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：US14477390

申请日：2014-09-04

Applicant: GLOBALFOUNDRIES Inc.

Inventor： Amaury GENDRON-HANSEN ,  Jagar SINGH ,  Andy WEI

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/28568 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

Abstract: A method of forming a metal gate diode ESD protection device and the resulting device are provided. Embodiments include forming a metal gate diode including a metal gate on a substrate; forming an n-type cathode on a first side of the metal gate diode; and forming a p-type anode on a second side of the metal gate diode, opposite the first side.

Abstract translation: 提供一种形成金属栅极二极管ESD保护器件的方法和所得到的器件。 实施例包括在基板上形成包括金属栅极的金属栅极二极管; 在所述金属栅极二极管的第一侧上形成n型阴极; 以及在所述金属栅极二极管的与所述第一侧相对的第二侧上形成p型阳极。