公开(公告)号：US07759924B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11566557

申请日：2006-12-04

申请人： Gajendra Shekhawat ,  Vinayak P Dravid ,  Soo-Hyun Tark ,  Arvind K Srivastava

发明人： Gajendra Shekhawat ,  Vinayak P Dravid ,  Soo-Hyun Tark ,  Arvind K Srivastava

IPC分类号： G01N27/00 ,  G01B5/28

CPC分类号： G01N29/036 ,  G01N27/4145 ,  G01N2291/0256

摘要： A sensor for detecting mechanical perturbations represented by a change in an electrical signal includes a structure such as a cantilever, membrane, etc. and a field effect transistor such as a MOSFET embedded in the structure. The drain current of the embedded transistor changes with mechanical perturbations in the structure caused, for example, by a biochemical interaction being sensed. A scanning probe microscope utilizes the embedded MOSFET with a BiMOS actuator.

摘要翻译： 用于检测由电信号变化表示的机械扰动的传感器包括诸如悬臂，膜等的结构以及嵌入结构中的诸如MOSFET的场效应晶体管。 嵌入式晶体管的漏极电流随结构中的机械扰动而变化，例如通过感测到的生物化学相互作用引起。 扫描探针显微镜利用带有BiMOS致动器的嵌入式MOSFET。