公开(公告)号：US08133756B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US12591006

申请日：2009-11-04

申请人： Joon-sang Park ,  Chung-ki Min ,  Dong-keun Kim ,  Yeol Jon ,  Chang-sun Hwang ,  Tae-eun Kim

发明人： Joon-sang Park ,  Chung-ki Min ,  Dong-keun Kim ,  Yeol Jon ,  Chang-sun Hwang ,  Tae-eun Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B24B37/015 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

摘要： A chemical-mechanical polishing (CMP) method of polishing a phase-change material and a method of fabricating a phase-change memory, the CMP method including forming the phase-change material on an activation surface of a semiconductor wafer, and performing a CMP process on the phase-change material using a polishing pad, wherein the performing the CMP process includes reducing a change in the composition of the phase-change material by adjusting, within a predetermined range, a temperature of a region where the semiconductor wafer and the polishing pad contact each other.

摘要翻译： 用于研磨相变材料的化学机械抛光（CMP）方法和制造相变存储器的方法，所述CMP方法包括在半导体晶片的活化表面上形成相变材料，并执行CMP 使用抛光垫对相变材料进行处理，其中执行CMP处理包括通过在预定范围内调节半导体晶片和第二晶体管的区域的温度来减小相变材料的组成的变化 抛光垫彼此接触。

公开(公告)号：US20100227435A1

公开(公告)日：2010-09-09

申请号：US12591006

申请日：2009-11-04

申请人： Joon-sang Park ,  Chung-ki Min ,  Dong-keun Kim ,  Yeol Jon ,  Chang-sun Hwang ,  Tae-eun Kim

发明人： Joon-sang Park ,  Chung-ki Min ,  Dong-keun Kim ,  Yeol Jon ,  Chang-sun Hwang ,  Tae-eun Kim

IPC分类号： H01L21/06 ,  H01L21/306

CPC分类号： B24B37/015 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

摘要： A chemical-mechanical polishing (CMP) method of polishing a phase-change material and a method of fabricating a phase-change memory, the CMP method including forming the phase-change material on an activation surface of a semiconductor wafer, and performing a CMP process on the phase-change material using a polishing pad, wherein the performing the CMP process includes reducing a change in the composition of the phase-change material by adjusting, within a predetermined range, a temperature of a region where the semiconductor wafer and the polishing pad contact each other.

摘要翻译： 用于研磨相变材料的化学机械抛光（CMP）方法和制造相变存储器的方法，所述CMP方法包括在半导体晶片的活化表面上形成相变材料，并执行CMP 使用抛光垫对相变材料进行处理，其中执行CMP处理包括通过在预定范围内调节半导体晶片和第二晶体管的区域的温度来减小相变材料的组成的变化 抛光垫彼此接触。