公开(公告)号：US08133756B2

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：US12591006

申请日：2009-11-04

申请人： Joon-sang Park ,  Chung-ki Min ,  Dong-keun Kim ,  Yeol Jon ,  Chang-sun Hwang ,  Tae-eun Kim

发明人： Joon-sang Park ,  Chung-ki Min ,  Dong-keun Kim ,  Yeol Jon ,  Chang-sun Hwang ,  Tae-eun Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B24B37/015 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

摘要： A chemical-mechanical polishing (CMP) method of polishing a phase-change material and a method of fabricating a phase-change memory, the CMP method including forming the phase-change material on an activation surface of a semiconductor wafer, and performing a CMP process on the phase-change material using a polishing pad, wherein the performing the CMP process includes reducing a change in the composition of the phase-change material by adjusting, within a predetermined range, a temperature of a region where the semiconductor wafer and the polishing pad contact each other.

摘要翻译： 用于研磨相变材料的化学机械抛光（CMP）方法和制造相变存储器的方法，所述CMP方法包括在半导体晶片的活化表面上形成相变材料，并执行CMP 使用抛光垫对相变材料进行处理，其中执行CMP处理包括通过在预定范围内调节半导体晶片和第二晶体管的区域的温度来减小相变材料的组成的变化 抛光垫彼此接触。

公开(公告)号：US20100227435A1

公开(公告)日：2010-09-09

申请号：US12591006

申请日：2009-11-04

申请人： Joon-sang Park ,  Chung-ki Min ,  Dong-keun Kim ,  Yeol Jon ,  Chang-sun Hwang ,  Tae-eun Kim

发明人： Joon-sang Park ,  Chung-ki Min ,  Dong-keun Kim ,  Yeol Jon ,  Chang-sun Hwang ,  Tae-eun Kim

IPC分类号： H01L21/06 ,  H01L21/306

CPC分类号： B24B37/015 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

摘要： A chemical-mechanical polishing (CMP) method of polishing a phase-change material and a method of fabricating a phase-change memory, the CMP method including forming the phase-change material on an activation surface of a semiconductor wafer, and performing a CMP process on the phase-change material using a polishing pad, wherein the performing the CMP process includes reducing a change in the composition of the phase-change material by adjusting, within a predetermined range, a temperature of a region where the semiconductor wafer and the polishing pad contact each other.

摘要翻译： 用于研磨相变材料的化学机械抛光（CMP）方法和制造相变存储器的方法，所述CMP方法包括在半导体晶片的活化表面上形成相变材料，并执行CMP 使用抛光垫对相变材料进行处理，其中执行CMP处理包括通过在预定范围内调节半导体晶片和第二晶体管的区域的温度来减小相变材料的组成的变化 抛光垫彼此接触。

公开(公告)号：US07804084B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US12113846

申请日：2008-05-01

申请人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

发明人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

摘要： Methods of fabricating phase change memory elements include forming an insulating layer on a semiconductor substrate, forming a through hole penetrating the insulating layer, forming a lower electrode in the through hole and forming a recess having a sidewall comprising a portion of the insulating layer by selectively etching a surface of the lower electrode relative to the insulating layer. A phase change memory layer is formed on the lower electrode. The phase change memory layer has a portion confined by the recess and surrounded by the insulating layer. An upper electrode is formed on the phase change memory layer. Phase change memory elements are also provided.

摘要翻译： 制造相变存储元件的方法包括在半导体衬底上形成绝缘层，形成穿透绝缘层的通孔，在通孔中形成下电极，并通过选择性地形成具有侧壁的凹部，该侧壁包括绝缘层的一部分 相对于绝缘层蚀刻下电极的表面。 在下电极上形成相变存储层。 相变存储层具有被凹部限制并被绝缘层包围的部分。 在相变存储层上形成上电极。 还提供相变存储元件。

公开(公告)号：US20080230762A1

公开(公告)日：2008-09-25

申请号：US12113846

申请日：2008-05-01

申请人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

发明人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

摘要： Methods of fabricating phase change memory elements include forming an insulating layer on a semiconductor substrate, forming a through hole penetrating the insulating layer, forming a lower electrode in the through hole and forming a recess having a sidewall comprising a portion of the insulating layer by selectively etching a surface of the lower electrode relative to the insulating layer. A phase change memory layer is formed on the lower electrode. The phase change memory layer has a portion confined by the recess and surrounded by the insulating layer. An upper electrode is formed on the phase change memory layer. Phase change memory elements are also provided.

摘要翻译： 制造相变存储元件的方法包括在半导体衬底上形成绝缘层，形成穿透绝缘层的通孔，在通孔中形成下电极，并通过选择性地形成具有侧壁的凹部，该侧壁包括绝缘层的一部分 相对于绝缘层蚀刻下电极的表面。 在下电极上形成相变存储层。 相变存储层具有被凹部限制并被绝缘层包围的部分。 在相变存储层上形成上电极。 还提供相变存储元件。

公开(公告)号：US20050227496A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US11100759

申请日：2005-04-07

申请人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

发明人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

IPC分类号： H01L27/115 ,  G11B7/24 ,  H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/461 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

摘要： Methods of fabricating phase change memory elements include forming an insulating layer on a semiconductor substrate, forming a through hole penetrating the insulating layer, forming a lower electrode in the through hole and forming a recess having a sidewall comprising a portion of the insulating layer by selectively etching a surface of the lower electrode relative to the insulating layer. A phase change memory layer is formed on the lower electrode. The phase change memory layer has a portion confined by the recess and surrounded by the insulating layer. An upper electrode is formed on the phase change memory layer. Phase change memory elements are also provided.

摘要翻译： 制造相变存储元件的方法包括在半导体衬底上形成绝缘层，形成穿透绝缘层的通孔，在通孔中形成下电极，并通过选择性地形成具有侧壁的凹部，该侧壁包括绝缘层的一部分 相对于绝缘层蚀刻下电极的表面。 在下电极上形成相变存储层。 相变存储层具有被凹部限制并被绝缘层包围的部分。 上电极形成在相变存储层上。 还提供相变存储元件。

公开(公告)号：US07384825B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US11100759

申请日：2005-04-07

申请人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

发明人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

IPC分类号： H01I21/332

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

摘要： Methods of fabricating phase change memory elements include forming an insulating layer on a semiconductor substrate, forming a through hole penetrating the insulating layer, forming a lower electrode in the through hole and forming a recess having a sidewall comprising a portion of the insulating layer by selectively etching a surface of the lower electrode relative to the insulating layer. A phase change memory layer is formed on the lower electrode. The phase change memory layer has a portion confined by the recess and surrounded by the insulating layer. An upper electrode is formed on the phase change memory layer. Phase change memory elements are also provided.

摘要翻译： 制造相变存储元件的方法包括在半导体衬底上形成绝缘层，形成穿透绝缘层的通孔，在通孔中形成下电极，并通过选择性地形成具有侧壁的凹部，该侧壁包括绝缘层的一部分 相对于绝缘层蚀刻下电极的表面。 在下电极上形成相变存储层。 相变存储层具有被凹部限制并被绝缘层包围的部分。 上电极形成在相变存储层上。 还提供相变存储元件。