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1.发明申请THIN FILM STRUCTURE WITH CONTROLLED LATERAL THERMAL SPREADING IN THE THIN FILM 有权薄膜中具有控制的侧向热膨胀的薄膜结构公开(公告)号：US20120194942A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：US13435793
申请日：2012-03-30
申请人： Julius K. Hohlfeld , Bin Lu , Ganping Ju , Amit V. Itagi , Timothy Klemmer , Yingguo Peng , Yukiko Kubota
发明人： Julius K. Hohlfeld , Bin Lu , Ganping Ju , Amit V. Itagi , Timothy Klemmer , Yingguo Peng , Yukiko Kubota
CPC分类号： G11B5/66 , G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a non-metallic interlayer between a magnetic data storage layer and a heat sink layer, wherein interface thermal resistance between the interlayer and the heat sink layer is capable of reducing heat flow between the heat sink layer and the magnetic data storage layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include thermal resistor layer positioned between the interlayer and the heat sink layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁数据存储层和散热层之间的非金属中间层，其中中间层和散热层之间的界面热阻能够减少散热层和磁数据存储层之间的热流。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于中间层和散热层之间的热电阻层。
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2.发明授权Thin film structure with controlled lateral thermal spreading in the thin film 有权薄膜结构在薄膜中具有受控的横向热扩散公开(公告)号：US08576515B2
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：US13435793
申请日：2012-03-30
申请人： Julius K. Hohlfeld , Bin Lu , Ganping A. Ju , Amit V. Itagi , Timothy Klemmer , Yingguo Peng , Yukiko Kubota
发明人： Julius K. Hohlfeld , Bin Lu , Ganping A. Ju , Amit V. Itagi , Timothy Klemmer , Yingguo Peng , Yukiko Kubota
IPC分类号： G11B5/33
CPC分类号： G11B5/66 , G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a non-metallic interlayer between a magnetic data storage layer and a heat sink layer, wherein interface thermal resistance between the interlayer and the heat sink layer is capable of reducing heat flow between the heat sink layer and the magnetic data storage layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include thermal resistor layer positioned between the interlayer and the heat sink layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁数据存储层和散热层之间的非金属中间层，其中中间层和散热层之间的界面热阻能够减少散热层和磁数据存储层之间的热流。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于中间层和散热层之间的热电阻层。
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3.发明申请Thin Film Structure With Controlled Lateral Thermal Spreading In The Thin Film 有权薄膜结构在薄膜中具有受控的横向热传播公开(公告)号：US20110096432A1
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：US12962928
申请日：2010-12-08
申请人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
发明人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
CPC分类号： G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a magnetic layer, a heat sink layer, and a thermal resistor layer between the magnetic layer and the heat sink layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include an interlayer positioned between the magnetic layer and the thermal resistor layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁性层和散热层之间的磁性层，散热层和热电阻层。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于磁性层和热电阻层之间的夹层。
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4.发明申请Thin film structure with controlled lateral thermal spreading in the thin film 有权薄膜结构在薄膜中具有受控的横向热扩散公开(公告)号：US20080198738A1
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：US11707280
申请日：2007-02-16
申请人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
发明人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
IPC分类号： G11B3/70
CPC分类号： G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a magnetic layer, a heat sink layer, and a thermal resistor layer between the magnetic layer and the heat sink layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include an interlayer positioned between the magnetic layer and the thermal resistor layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁性层和散热层之间的磁性层，散热层和热电阻层。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于磁性层和热电阻层之间的中间层。
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5.发明授权Thin film structure with controlled lateral thermal spreading in the thin film 有权薄膜结构在薄膜中具有受控的横向热扩散公开(公告)号：US07869162B2
公开(公告)日：2011-01-11
申请号：US11707280
申请日：2007-02-16
申请人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
发明人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
IPC分类号： G11B5/33
CPC分类号： G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a magnetic layer, a heat sink layer, and a thermal resistor layer between the magnetic layer and the heat sink layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include an interlayer positioned between the magnetic layer and the thermal resistor layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁性层和散热层之间的磁性层，散热层和热电阻层。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于磁性层和热电阻层之间的中间层。
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6.发明授权Thin film structure with controlled lateral thermal spreading in the thin film 有权薄膜结构在薄膜中具有受控的横向热扩散公开(公告)号：US08149539B2
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：US12962928
申请日：2010-12-08
申请人： Bin Lu , Ganping A. Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
发明人： Bin Lu , Ganping A. Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
IPC分类号： G11B5/33
CPC分类号： G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a magnetic layer, a heat sink layer, and a thermal resistor layer between the magnetic layer and the heat sink layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include an interlayer positioned between the magnetic layer and the thermal resistor layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁性层和散热层之间的磁性层，散热层和热电阻层。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于磁性层和热电阻层之间的中间层。
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