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1.发明授权Thin film structure with controlled lateral thermal spreading in the thin film 有权薄膜结构在薄膜中具有受控的横向热扩散公开(公告)号：US08576515B2
公开(公告)日：2013-11-05
申请号：US13435793
申请日：2012-03-30
申请人： Julius K. Hohlfeld , Bin Lu , Ganping A. Ju , Amit V. Itagi , Timothy Klemmer , Yingguo Peng , Yukiko Kubota
发明人： Julius K. Hohlfeld , Bin Lu , Ganping A. Ju , Amit V. Itagi , Timothy Klemmer , Yingguo Peng , Yukiko Kubota
IPC分类号： G11B5/33
CPC分类号： G11B5/66 , G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a non-metallic interlayer between a magnetic data storage layer and a heat sink layer, wherein interface thermal resistance between the interlayer and the heat sink layer is capable of reducing heat flow between the heat sink layer and the magnetic data storage layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include thermal resistor layer positioned between the interlayer and the heat sink layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁数据存储层和散热层之间的非金属中间层，其中中间层和散热层之间的界面热阻能够减少散热层和磁数据存储层之间的热流。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于中间层和散热层之间的热电阻层。
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2.发明申请THIN FILM STRUCTURE WITH CONTROLLED LATERAL THERMAL SPREADING IN THE THIN FILM 有权薄膜中具有控制的侧向热膨胀的薄膜结构公开(公告)号：US20120194942A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：US13435793
申请日：2012-03-30
申请人： Julius K. Hohlfeld , Bin Lu , Ganping Ju , Amit V. Itagi , Timothy Klemmer , Yingguo Peng , Yukiko Kubota
发明人： Julius K. Hohlfeld , Bin Lu , Ganping Ju , Amit V. Itagi , Timothy Klemmer , Yingguo Peng , Yukiko Kubota
CPC分类号： G11B5/66 , G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a non-metallic interlayer between a magnetic data storage layer and a heat sink layer, wherein interface thermal resistance between the interlayer and the heat sink layer is capable of reducing heat flow between the heat sink layer and the magnetic data storage layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include thermal resistor layer positioned between the interlayer and the heat sink layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁数据存储层和散热层之间的非金属中间层，其中中间层和散热层之间的界面热阻能够减少散热层和磁数据存储层之间的热流。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于中间层和散热层之间的热电阻层。
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3.发明授权Thin film structure with controlled lateral thermal spreading in the thin film 有权薄膜结构在薄膜中具有受控的横向热扩散公开(公告)号：US08149539B2
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：US12962928
申请日：2010-12-08
申请人： Bin Lu , Ganping A. Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
发明人： Bin Lu , Ganping A. Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
IPC分类号： G11B5/33
CPC分类号： G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a magnetic layer, a heat sink layer, and a thermal resistor layer between the magnetic layer and the heat sink layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include an interlayer positioned between the magnetic layer and the thermal resistor layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁性层和散热层之间的磁性层，散热层和热电阻层。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于磁性层和热电阻层之间的中间层。
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4.发明申请Thin Film Structure With Controlled Lateral Thermal Spreading In The Thin Film 有权薄膜结构在薄膜中具有受控的横向热传播公开(公告)号：US20110096432A1
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：US12962928
申请日：2010-12-08
申请人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
发明人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
CPC分类号： G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a magnetic layer, a heat sink layer, and a thermal resistor layer between the magnetic layer and the heat sink layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include an interlayer positioned between the magnetic layer and the thermal resistor layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁性层和散热层之间的磁性层，散热层和热电阻层。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于磁性层和热电阻层之间的夹层。
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5.发明申请Thin film structure with controlled lateral thermal spreading in the thin film 有权薄膜结构在薄膜中具有受控的横向热扩散公开(公告)号：US20080198738A1
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：US11707280
申请日：2007-02-16
申请人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
发明人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
IPC分类号： G11B3/70
CPC分类号： G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a magnetic layer, a heat sink layer, and a thermal resistor layer between the magnetic layer and the heat sink layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include an interlayer positioned between the magnetic layer and the thermal resistor layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁性层和散热层之间的磁性层，散热层和热电阻层。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于磁性层和热电阻层之间的中间层。
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6.发明授权Thin film structure with controlled lateral thermal spreading in the thin film 有权薄膜结构在薄膜中具有受控的横向热扩散公开(公告)号：US07869162B2
公开(公告)日：2011-01-11
申请号：US11707280
申请日：2007-02-16
申请人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
发明人： Bin Lu , Ganping Ju , Julius K. Hohlfeld , Duane C. Karns , Amit V. Itagi , William A. Challener , Hua Zhou
IPC分类号： G11B5/33
CPC分类号： G11B5/3133 , G11B5/7325 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
摘要： An apparatus includes a magnetic layer, a heat sink layer, and a thermal resistor layer between the magnetic layer and the heat sink layer. The apparatus may be configured as a thin film structure arranged for data storage. The apparatus may also include an interlayer positioned between the magnetic layer and the thermal resistor layer.
摘要翻译： 一种装置包括在磁性层和散热层之间的磁性层，散热层和热电阻层。 该装置可以被配置为布置用于数据存储的薄膜结构。 该装置还可以包括位于磁性层和热电阻层之间的中间层。
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公开(公告)号：US07829208B2
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：US11947288
申请日：2007-11-29
申请人： Yingguo Peng , Bin Lu
发明人： Yingguo Peng , Bin Lu
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： G11B5/732 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B5/8404
摘要： A magnetic recording media with a multilayer structure and methods for forming the media are described. The magnetic recording media includes a substrate, an underlayer on top of the substrate and a magnetic layer over the underlayer. The underlayer includes a CrN film formed by sputter depositing chromium in the presence of nitrogen or nitrogen containing compounds.
摘要翻译： 描述了具有多层结构的磁记录介质和用于形成介质的方法。 磁记录介质包括衬底，衬底顶部的底层和衬底上的磁性层。 底层包括在氮或含氮化合物存在下溅射沉积铬形成的CrN膜。
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公开(公告)号：US20090142621A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：US11947288
申请日：2007-11-29
申请人： Yingguo Peng , Bin Lu
发明人： Yingguo Peng , Bin Lu
CPC分类号： G11B5/732 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B5/8404
摘要： A magnetic recording media with a multilayer structure and methods for forming the media are described. The magnetic recording media includes a substrate, an underlayer on top of the substrate and a magnetic layer over the underlayer. The underlayer includes a CrN film formed by sputter depositing chromium in the presence of nitrogen or nitrogen containing compounds.
摘要翻译： 描述了具有多层结构的磁记录介质和用于形成介质的方法。 磁记录介质包括衬底，衬底顶部的底层和衬底上的磁性层。 底层包括在氮或含氮化合物的存在下溅射沉积铬形成的CrN膜。
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公开(公告)号：US08092930B2
公开(公告)日：2012-01-10
申请号：US12899040
申请日：2010-10-06
申请人： Yingguo Peng , Bin Lu
发明人： Yingguo Peng , Bin Lu
IPC分类号： G11B5/66
CPC分类号： G11B5/732 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B5/8404
摘要： In a recording medium, a CrN film layer comprising a B1 phase crystal structure.
摘要翻译： 在记录介质中，包含B1相晶体结构的CrN膜层。
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公开(公告)号：US08795764B1
公开(公告)日：2014-08-05
申请号：US12916302
申请日：2010-10-29
申请人： Yingguo Peng , Xiaowei Wu , Ganping Ju , Bin Lu
发明人： Yingguo Peng , Xiaowei Wu , Ganping Ju , Bin Lu
IPC分类号： G11B5/64
摘要： An apparatus includes a substrate and a magnetic layer coupled to the substrate. The magnetic layer includes an alloy that has magnetic hardness that is a function of the degree of chemical ordering of the alloy. The degree of chemical ordering of the alloy in a first portion of the magnetic layer is greater than the degree of chemical ordering of the alloy in a second portion of the magnetic layer, and the first portion of the magnetic layer is closer to the substrate than the second portion of the magnetic layer.
摘要翻译： 一种装置包括基板和耦合到该基板的磁性层。 磁性层包括具有作为合金的化学排序程度的函数的磁性硬度的合金。 合金在磁性层的第一部分中的化学排序程度大于磁性层第二部分中合金的化学排序程度，并且磁性层的第一部分比第二部分更靠近基体 磁性层的第二部分。
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