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公开(公告)号:US09543144B2
公开(公告)日:2017-01-10
申请号:US14587833
申请日:2014-12-31
IPC分类号: C23C16/30 , H01L21/02 , C23C16/455
CPC分类号: H01L21/02568 , C23C16/305 , C23C16/45553 , H01L21/02551 , H01L21/0262
摘要: Chalcogenide-containing film forming compositions, methods of synthesizing the same, and methods of forming Chalcogenide-containing films on one or more substrates via vapor deposition processes using the Chalcogenide-containing film forming compositions are disclosed.
摘要翻译: 公开了含硫族化物的成膜组合物,其合成方法,以及通过使用含硫族化合物的成膜组合物的气相沉积方法在一个或多个基材上形成含硫族化合物的膜的方法。