公开(公告)号：US09331155B2

公开(公告)日：2016-05-03

申请号：US14249108

申请日：2014-04-09

Applicant: NXP B.V.

Inventor： Johannes Donkers ,  Hans Broekman ,  Stephan Heil ,  Mark De Keijser ,  Cecilia van der Schaar

IPC: H01L49/02 ,  H01L29/205 ,  H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: Disclosed is a semiconductor device comprising at least one active layer (14, 16) on a substrate (10) and a first contact (24, 26, 28) to the at least one active layer, the first contact comprising a metal in contact with the at least one active layer and a titanium tungsten nitride (TiW(N)) layer (30) on the metal. A method of manufacturing such a semiconductor device is also disclosed.

Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其包括在衬底（10）上的至少一个有源层（14,16）和至少一个有源层的第一接触（24,26,28），所述第一接触包括与 所述至少一个有源层和所述金属上的氮化钨（TiW（N））层（30）。 还公开了制造这种半导体器件的方法。