公开(公告)号：US20140335683A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：US14021108

申请日：2013-09-09

Applicant: National Taiwan University

Inventor： CHING-FUH LIN ,  Chun-Wei Ku ,  Hao-Yu Wu

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/16 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02631

Abstract: A method for producing a gallium nitride layer using a pulsed laser is disclosed. The method includes (1) providing a substrate; (2) forming a zinc oxide layer on the substrate; and (3) forming a gallium nitride thin film on the zinc oxide layer by pulsed laser deposition (PLD).

Abstract translation: 公开了一种使用脉冲激光产生氮化镓层的方法。 该方法包括（1）提供基板; （2）在基板上形成氧化锌层; 和（3）通过脉冲激光沉积（PLD）在氧化锌层上形成氮化镓薄膜。