公开(公告)号：US20160233310A1

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：US14970710

申请日：2015-12-16

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Doo-Young Lee ,  Dohyoung KIM ,  Johnsoo KIM ,  Heungsik PARK ,  Hongsik SHIN ,  Younghun CHOI

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: A method of forming a semiconductor device includes forming a gate electrode on a substrate, forming a first spacer on a sidewall of the gate electrode, forming a second spacer on the first spacer, and forming a capping pattern on top surfaces of the gate electrode, the first spacer and the second spacer. An outer sidewall of the second spacer is vertically aligned with a sidewall of the capping pattern.

Abstract translation: 形成半导体器件的方法包括在衬底上形成栅电极，在栅电极的侧壁上形成第一间隔物，在第一间隔物上形成第二间隔物，并在栅电极的顶表面上形成封盖图案， 第一间隔物和第二间隔物。 第二间隔件的外侧壁与封盖图案的侧壁垂直对齐。