公开(公告)号：US20080101423A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11925148

申请日：2007-10-26

申请人： Sergey Mirov ,  Andrew Gallian ,  Alan Martinez ,  Vladimir Fedorov

发明人： Sergey Mirov ,  Andrew Gallian ,  Alan Martinez ,  Vladimir Fedorov

IPC分类号： H01S3/11 ,  H01L21/10

CPC分类号： H01S3/11 ,  B05D1/60 ,  B05D3/007 ,  C23C14/185 ,  G02F1/3523 ,  H01S3/092 ,  H01S3/113 ,  H01S3/115 ,  H01S3/117 ,  H01S3/1608 ,  H01S3/1623 ,  H01S3/163 ,  H01S3/164 ,  H01S3/1696 ,  H01S3/1698 ,  H01S2301/00

摘要： This disclosure demonstrates successfully using single, polycrystalline, hot pressed ceramic, and thin film Fe doped binary chalcogenides (such as ZnSe and ZnS) as saturable absorbing passive Q-switches. The method of producing polycrystalline ZnSe(S) yields fairly uniform distribution of dopant, large coefficients of absorption (5-50 cm−1) and low passive losses while being highly cost effective and easy to reproduce. Using these Fe2+:ZnSe crystals, stable Q-switched output was achieved with a low threshold and the best cavity configuration yielded 13 mJ/pulse single mode Q-switched output and 85 mJ in a multipulse regime.

摘要翻译： 本公开演示成功地使用单个，多晶，热压陶瓷和薄膜掺杂Fe的二元硫族化物（例如ZnSe和ZnS）作为可饱和吸收的无源Q开关。 产生多晶ZnSe（S）的方法产生相当均匀的掺杂剂分布，大的吸收系数（5-50cm -1）和低被动损耗，同时成本高且易于再生。 使用这些Fe 2+ ZnSe晶体，以低阈值实现了稳定的Q开关输出，并且最佳腔配置产生13mJ /脉冲单模Q开关输出和在多脉冲方案中为85mJ 。

公开(公告)号：US08817830B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US11925148

申请日：2007-10-26

申请人： Sergey Mirov ,  Andrew Gallian ,  Alan Martinez ,  Vladimir Fedorov

发明人： Sergey Mirov ,  Andrew Gallian ,  Alan Martinez ,  Vladimir Fedorov

IPC分类号： H01S3/11 ,  H01S3/113 ,  H01S3/092 ,  H01S3/16

CPC分类号： H01S3/11 ,  B05D1/60 ,  B05D3/007 ,  C23C14/185 ,  G02F1/3523 ,  H01S3/092 ,  H01S3/113 ,  H01S3/115 ,  H01S3/117 ,  H01S3/1608 ,  H01S3/1623 ,  H01S3/163 ,  H01S3/164 ,  H01S3/1696 ,  H01S3/1698 ,  H01S2301/00

摘要： This disclosure demonstrates successfully using single, polycrystalline, hot pressed ceramic, and thin film Fe doped binary chalcogenides (such as ZnSe and ZnS) as saturable absorbing passive Q-switches. The method of producing polycrystalline ZnSe(S) yields fairly uniform distribution of dopant, large coefficients of absorption (5-50 cm−1) and low passive losses while being highly cost effective and easy to reproduce. Using these Fe2+:ZnSe crystals, stable Q-switched output was achieved with a low threshold and the best cavity configuration yielded 13 mJ/pulse single mode Q-switched output and 85 mJ in a multipulse regime.

摘要翻译： 本公开演示成功地使用单个，多晶，热压陶瓷和薄膜掺杂Fe的二元硫族化物（例如ZnSe和ZnS）作为可饱和吸收的无源Q开关。 生产多晶ZnSe（S）的方法产生相当均匀的掺杂剂分布，大的吸收系数（5-50厘米-1）和低被动损耗，同时具有高成本效益和易于再生。 使用这些Fe2 +：ZnSe晶体，以低阈值实现了稳定的Q开关输出，并且最佳腔配置在多脉冲方案中产生13mJ /脉冲单模Q开关输出和85mJ。