公开(公告)号：US20110008957A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12827627

申请日：2010-06-30

申请人： Sun-E Park ,  Younghoon Park ,  Joocheol Han ,  Jinkuk Chung ,  Kiho Kang ,  Yu Jin Ahn

发明人： Sun-E Park ,  Younghoon Park ,  Joocheol Han ,  Jinkuk Chung ,  Kiho Kang ,  Yu Jin Ahn

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76883 ,  H01L28/60

摘要： A metal interconnection method of a semiconductor device includes forming a copper layer on a semiconductor substrate and planarizing the copper layer. Two thermal treatments are performed at different temperatures between formation of the copper layer and planarization of the copper layer.

摘要翻译： 半导体器件的金属互连方法包括在半导体衬底上形成铜层并使铜层平坦化。 在铜层的形成和铜层的平坦化之间，在不同温度下进行两次热处理。