公开(公告)号：US20070187727A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11307660

申请日：2006-02-16

申请人： Shyh-Fann Ting ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Tzer-Min Shen ,  Yi-Chung Sheng

发明人： Shyh-Fann Ting ,  Cheng-Tung Huang ,  Wen-Han Hung ,  Tzyy-Ming Cheng ,  Tzer-Min Shen ,  Yi-Chung Sheng

IPC分类号： H01L29/80

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843

摘要： A method of manufacturing a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor device is disclosed. A gate dielectric layer is formed on an active area of a substrate. A gate electrode is patterned on the gate dielectric layer. The gate electrode has vertical sidewalls and a top surface. A liner is formed on the vertical sidewalls of the gate electrode. A nitride spacer is formed on the liner. An ion implanted is performed to form a source/drain region. After salicide process, an STI region that isolates the active area is recessed, thereby forming a step height at interface between the active area and the STI region. The nitride spacer is removed. A nitride cap layer that borders the liner is deposited. The nitride cap layer has a specific stress status.

摘要翻译： 公开了一种制造金属氧化物半导体（MOS）晶体管器件的方法。 栅介质层形成在衬底的有源区上。 在栅极电介质层上形成栅电极。 栅电极具有垂直侧壁和顶表面。 衬套形成在栅电极的垂直侧壁上。 在衬套上形成氮化物间隔物。 进行离子注入以形成源极/漏极区域。 在自对准处理之后，隔离有源区域的STI区域凹陷，从而在有源区域和STI区域之间的界面处形成台阶高度。 去除氮化物间隔物。 与衬垫相邻的氮化物覆盖层被沉积。 氮化物盖层具有特定的应力状态。

公开(公告)号：US06740471B1

公开(公告)日：2004-05-25

申请号：US10101658

申请日：2002-03-20

申请人： Gau-Ming Lu ,  Dowson Jang ,  Wen-Han Hung ,  Yeong-Rong Chang

发明人： Gau-Ming Lu ,  Dowson Jang ,  Wen-Han Hung ,  Yeong-Rong Chang

IPC分类号： G03F742

CPC分类号： G03F7/16 ,  H01L21/0274 ,  Y02P80/30

摘要： A method of improving photoresist adhesion in a reworked device, including the following steps. A semiconductor structure having an upper exposed metal layer is provided. An ARC layer is formed over the upper exposed metal layer. The ARC layer having an upper surface. A first photoresist layer is formed upon the ARC layer. The first photoresist layer is removed by a rework process. The ARC layer upper surface is roughened to form a roughened ARC layer upper surface. A second photoresist layer is formed upon the roughened ARC layer upper surface whereby adhesion of the second photoresist layer to the ARC layer is improved.

摘要翻译： 一种改善返工装置中的光致抗蚀剂粘附性的方法，包括以下步骤。 提供具有上暴露金属层的半导体结构。 在上部暴露的金属层上形成ARC层。 ARC层具有上表面。 在ARC层上形成第一光致抗蚀剂层。 通过返工工艺去除第一光致抗蚀剂层。 ARC层上表面被粗糙化以形成粗糙化的ARC层上表面。 第二光致抗蚀剂层形成在粗糙化的ARC层上表面上，从而提高了第二光致抗蚀剂层与ARC层的粘附。

公开(公告)号：US06238965B1

公开(公告)日：2001-05-29

申请号：US09306080

申请日：1999-05-06

申请人： Ming-Kwei Lee ,  Wen-Han Hung

发明人： Ming-Kwei Lee ,  Wen-Han Hung

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： C23C18/00 ,  C23C26/02 ,  H01L21/316

摘要： A method for forming a titanium dioxide layer is disclosed. The method includes the steps of providing a titanium-containing material, adding an acid substance to the titanium-containing material to form a mixture, and exposing the device to the mixture to form the titanium dioxide layer thereon. Such a method can be applied for forming a titanium dioxide layer on a semiconductor device, a silicon substrate, an integrated circuit, a photoelectric device, etc.

摘要翻译： 公开了一种形成二氧化钛层的方法。 该方法包括以下步骤：提供含钛材料，向含钛材料中加入酸性物质以形成混合物，并将该装置暴露于混合物以在其上形成二氧化钛层。 这种方法可以用于在半导体器件，硅衬底，集成电路，光电器件等上形成二氧化钛层。