公开(公告)号：US20140138662A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：US14131690

申请日：2012-05-31

Applicant: Britta Goeoetz ,  Erwin Lang ,  Thilo Reusch ,  Daniel Steffen Setz

Inventor： Britta Goeoetz ,  Erwin Lang ,  Thilo Reusch ,  Daniel Steffen Setz

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5268 ,  H01L51/5265 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/558

Abstract: A light-emitting component may include: a first electrode; an organic electroluminescent layer structure on or over the first electrode; a second translucent electrode on or over the organic electroluminescent layer structure; and a mirror layer structure on or over the second electrode, wherein the mirror layer structure has a lateral thermal conductance of at least 1*10−3 W/K.

Abstract translation: 发光部件可以包括：第一电极; 在第一电极上或上方的有机电致发光层结构; 在有机电致发光层结构上或上方的第二透明电极; 以及在所述第二电极上或上方的镜层结构，其中所述镜层结构具有至少1×10 -3 W / K的横向热导率。

公开(公告)号：US20120132953A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13260560

申请日：2010-03-22

Applicant: Dirk Becker ,  Thomas Dobbertin ,  Erwin Lang ,  Thilo Reusch

Inventor： Dirk Becker ,  Thomas Dobbertin ,  Erwin Lang ,  Thilo Reusch

IPC: H01L23/28 ,  H01L51/44 ,  H01L21/56 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/448 ,  H01L51/5256 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: A thin-layer encapsulation (1) for an optoelectronic component. The thin-layer encapsulation (1) comprises a sequence of layers (2) that comprises the following layers: a first ALD layer (3) deposited by means of atomic layer deposition, and a second ALD layer (4) deposited by means of atomic layer deposition. A method is disclosed for producing the thin-layer encapsulation and an optoelectronic component is disclosed having such a thin-layer encapsulation.

Abstract translation: 用于光电子元件的薄层封装（1）。 薄层封装（1）包括层序列（2），其包括以下层：通过原子层沉积沉积的第一ALD层（3）和通过原子沉积的第二ALD层（4） 层沉积。 公开了用于制造薄层封装的方法，并且公开了具有这种薄层封装的光电子部件。