公开(公告)号：US20100105204A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12257279

申请日：2008-10-23

Applicant: WINSOR LAM ,  TZA-Jing Gung ,  Hong S. Yang ,  Adolph Miller Allen

Inventor： WINSOR LAM ,  TZA-Jing Gung ,  Hong S. Yang ,  Adolph Miller Allen

IPC: H01L21/44

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods for processing substrates are provided herein. In some embodiments, a method for processing substrates includes providing to a process chamber a substrate comprising an exposed dielectric layer having a feature formed therein. A mask layer comprising titanium nitride may be selectively deposited atop corners of the feature. A barrier layer may be selectively deposited atop the mask layer and into a bottom portion of the feature. The barrier layer deposited on the bottom portion of the feature may be etched to redistribute at least a portion of the barrier layer onto sidewalls of the feature.

Abstract translation: 本文提供了处理基板的方法。 在一些实施例中，用于处理衬底的方法包括向处理室提供包括其中形成有特征的暴露介电层的衬底。 包括氮化钛的掩模层可以选择性地沉积在特征的角落的顶部。 阻挡层可以选择性地沉积在掩模层的顶部并进入特征的底部。 可以蚀刻沉积在特征的底部上的阻挡层，以将阻挡层的至少一部分重新分布到特征的侧壁上。