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发明授权
Semiconductor device with non-isolated power transistor with integrated diode protection 有权
标题翻译：具有集成二极管保护的非隔离功率晶体管的半导体器件

公开(公告)号：US09559097B2

公开(公告)日：2017-01-31

申请号：US14507063

申请日：2014-10-06

申请人： Patrice M. Parris , Hubert M. Bode , Weize Chen , Richard J DeSouza , Andreas Laudenbach , Kurt U. Neugebauer

发明人： Patrice M. Parris , Hubert M. Bode , Weize Chen , Richard J DeSouza , Andreas Laudenbach , Kurt U. Neugebauer

IPC分类号： H01L27/07 , H01L29/66 , H01L27/02 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10

CPC分类号： H01L29/7823 , H01L21/761 , H01L27/0255 , H01L27/0727 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/063 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/66659 , H01L29/7835

摘要： A semiconductor device configured with one or more integrated breakdown protection diodes in non-isolated power transistor devices and electronic apparatus, and methods for fabricating the devices.

摘要翻译： 在非隔离功率晶体管器件和电子设备中配置有一个或多个集成击穿保护二极管的半导体器件，以及用于制造器件的方法。