公开(公告)号：US07741216B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US12326374

申请日：2008-12-02

申请人： Jeong Tae Kim ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Dong Ha Jung

发明人： Jeong Tae Kim ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Dong Ha Jung

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A metal line of a semiconductor device includes an insulation layer formed on a semiconductor substrate and having a metal line forming region. A diffusion barrier is formed on a surface of the metal line forming region of the insulation layer. The diffusion barrier has a multi-layered structure of a V layer, a VxNy layer and a VxNyOz layer. A metal layer is formed on the diffusion barrier to fill the metal line forming region of the insulation layer.

摘要翻译： 半导体器件的金属线包括形成在半导体衬底上并具有金属线形成区域的绝缘层。 在绝缘层的金属线形成区域的表面上形成扩散阻挡层。 扩散势垒具有V层，VxNy层和VxNyOz层的多层结构。 在扩散阻挡层上形成金属层以填充绝缘层的金属线形成区域。

公开(公告)号：US08080472B2

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：US12472721

申请日：2009-05-27

申请人： Joon Seok Oh ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Dong Ha Jung ,  Nam Yeal Lee ,  Jae Hong Kim

发明人： Joon Seok Oh ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Dong Ha Jung ,  Nam Yeal Lee ,  Jae Hong Kim

IPC分类号： H01L21/425 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24612 ,  H01L2924/00

摘要： A metal line having a MoxSiy/Mo diffusion barrier of a semiconductor device and corresponding methods of fabricating the same are presented. The metal line includes an insulation layer, a diffusion barrier, and a metal layer. The insulation layer is formed on a semiconductor substrate and has a metal line forming region. The diffusion barrier is formed on a surface of the metal line forming region of the insulation layer and has a stack structure composed of a MoxSiy layer and a Mo layer. The metal layer is formed on the diffusion barrier which fills in the metal line forming region of the insulation layer.

摘要翻译： 提出了具有半导体器件的MoxSiy / Mo扩散阻挡层的金属线及其制造方法。 金属线包括绝缘层，扩散阻挡层和金属层。 绝缘层形成在半导体衬底上并具有金属线形成区域。 扩散阻挡层形成在绝缘层的金属线形成区域的表面上，并且具有由MoxSiy层和Mo层构成的堆叠结构。 金属层形成在填充绝缘层的金属线形成区域的扩散阻挡层上。

公开(公告)号：US20100052170A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12486454

申请日：2009-06-17

申请人： Dong Ha Jung ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Nam Yeal Lee

发明人： Dong Ha Jung ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Nam Yeal Lee

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76856 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A metal line of a semiconductor device includes an insulation layer formed on a semiconductor substrate. The insulation layer has a metal line forming region. A diffusion barrier is formed on a surface of the metal line forming region of the insulation layer. The diffusion barrier includes a multi-layered structure that includes an MoB2 layer, an MoxByNz layer and an Mo layer. A metal layer is formed on the diffusion barrier to fill the metal line forming region of the insulation layer.

摘要翻译： 半导体器件的金属线包括形成在半导体衬底上的绝缘层。 绝缘层具有金属线形成区域。 在绝缘层的金属线形成区域的表面上形成扩散阻挡层。 扩散阻挡层包括包含MoB 2层，MoxByNz层和Mo层的多层结构。 在扩散阻挡层上形成金属层以填充绝缘层的金属线形成区域。

公开(公告)号：US08053895B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12486454

申请日：2009-06-17

申请人： Dong Ha Jung ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Nam Yeal Lee

发明人： Dong Ha Jung ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Nam Yeal Lee

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76856 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A metal line of a semiconductor device includes an insulation layer formed on a semiconductor substrate. The insulation layer has a metal line forming region. A diffusion barrier is formed on a surface of the metal line forming region of the insulation layer. The diffusion barrier includes a multi-layered structure that includes an MoB2 layer, an MoxByNz layer and an Mo layer. A metal layer is formed on the diffusion barrier to fill the metal line forming region of the insulation layer.

摘要翻译： 半导体器件的金属线包括形成在半导体衬底上的绝缘层。 绝缘层具有金属线形成区域。 在绝缘层的金属线形成区域的表面上形成扩散阻挡层。 扩散阻挡层包括包含MoB 2层，MoxByNz层和Mo层的多层结构。 在扩散阻挡层上形成金属层以填充绝缘层的金属线形成区域。

公开(公告)号：US08008708B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US12486124

申请日：2009-06-17

申请人： Nam Yeal Lee ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Dong Ha Jung ,  Joon Seok Oh

发明人： Nam Yeal Lee ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Dong Ha Jung ,  Joon Seok Oh

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An insulation layer is formed on a semiconductor substrate so as to define a metal line forming region. A diffusion barrier having a multi-layered structure of an Mox1Si1-x1 layer, an Mox2Siy2Nz2 layer, and an Moy3N1-y3 layer is formed on a surface of the metal line forming region. A metal layer is formed on the diffusion barrier so as to fill the metal line forming region of the insulation layer.

摘要翻译： 在半导体基板上形成绝缘层，以限定金属线形成区域。 在金属线形成区域的表面上形成具有Mox1Si1-x1层，Mox2Siy2Nz2层和Moy3N1-y3层的多层结构的扩散阻挡层。 在扩散阻挡层上形成金属层，以填充绝缘层的金属线形成区域。

公开(公告)号：US07875978B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US12485473

申请日：2009-06-16

申请人： Dong Ha Jung ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Joon Seok Oh ,  Nam Yeal Lee

发明人： Dong Ha Jung ,  Seung Jin Yeom ,  Baek Mann Kim ,  Joon Seok Oh ,  Nam Yeal Lee

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A metal line having a multi-layered diffusion layer in a resultant semiconductor device is presented along with corresponding methods of forming the same. The metal line includes an insulation layer, a multi-layered diffusion barrier, and a metal layer. The insulation layer is formed on a semiconductor substrate and has a metal line forming region. The multi-layered diffusion barrier is formed on a surface of the metal line forming region defined in the insulation layer. The diffusion barrier includes a VB2 layer, a CrV layer and a Cr layer. The metal layer is formed on the diffusion barrier which substantially fills in the metal line forming region of the insulation layer to eventually form the metal line.

摘要翻译： 在所得半导体器件中具有多层扩散层的金属线与其形成方法相对应。 金属线包括绝缘层，多层扩散阻挡层和金属层。 绝缘层形成在半导体衬底上并具有金属线形成区域。 多层扩散阻挡层形成在绝缘层中形成的金属线形成区域的表面上。 扩散阻挡层包括VB2层，CrV层和Cr层。 金属层形成在扩散阻挡层上，其基本上填充在绝缘层的金属线形成区域中，以最终形成金属线。

公开(公告)号：US08043962B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US11756005

申请日：2007-05-31

申请人： Dong Ha Jung ,  Baek Mann Kim ,  Soo Hyun Kim ,  Young Jin Lee ,  Sun Woo Hwang ,  Jeong Tae Kim

发明人： Dong Ha Jung ,  Baek Mann Kim ,  Soo Hyun Kim ,  Young Jin Lee ,  Sun Woo Hwang ,  Jeong Tae Kim

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A metal wiring of a semiconductor device includes a semiconductor substrate; an insulating layer provided with a damascene pattern formed over the semiconductor substrate; a diffusion barrier layer which contains a RuO2 layer formed on a surface of the damascene pattern and an Al deposit-inhibiting layer formed on a portion of the RuO2 layer in both-side upper portion of the damascene pattern; and a wiring metal layer including Al formed on the diffusion barrier layer by MOCVD method in order to fill the damascene pattern.

摘要翻译： 半导体器件的金属布线包括半导体衬底; 绝缘层，设置有形成在所述半导体衬底上的镶嵌图案; 包含在镶嵌图案的表面上形成的RuO 2层的扩散阻挡层和形成在该镶嵌图案的两侧上部的RuO 2层的一部分上的Al沉积抑制层; 以及通过MOCVD法在扩散阻挡层上形成的包括Al的布线金属层，以填充镶嵌图案。

公开(公告)号：US07531902B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11755814

申请日：2007-05-31

申请人： Jeong Tae Kim ,  Baek Mann Kim ,  Soo Hyun Kim ,  Young Jin Lee ,  Dong Ha Jung

发明人： Jeong Tae Kim ,  Baek Mann Kim ,  Soo Hyun Kim ,  Young Jin Lee ,  Dong Ha Jung

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A multi-layered metal line of a semiconductor device has a lower metal line and an upper metal line. The upper metal line includes a diffusion barrier, which is made of a stack of a first WNx layer, a WCyNx layer and a second WNx layer.

摘要翻译： 半导体器件的多层金属线具有下金属线和上金属线。 上金属线包括由第一WNx层，WCyNx层和第二WNx层的堆叠构成的扩散阻挡层。

公开(公告)号：US08519539B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US13238570

申请日：2011-09-21

申请人： Dong Ha Jung ,  Baek Mann Kim ,  Soo Hyun Kim ,  Young Jin Lee ,  Sun Woo Hwang ,  Jeong Tae Kim

发明人： Dong Ha Jung ,  Baek Mann Kim ,  Soo Hyun Kim ,  Young Jin Lee ,  Sun Woo Hwang ,  Jeong Tae Kim

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A metal wiring of a semiconductor device includes a semiconductor substrate; an insulating layer provided with a damascene pattern formed over the semiconductor substrate; a diffusion barrier layer which contains a RuO2 layer formed on a surface of the damascene pattern and an Al deposit-inhibiting layer formed on a portion of the RuO2 layer in both-side upper portion of the damascene pattern; and a wiring metal layer including Al formed on the diffusion barrier layer by MOCVD method in order to fill the damascene pattern.

摘要翻译： 半导体器件的金属布线包括半导体衬底; 绝缘层，设置有形成在所述半导体衬底上的镶嵌图案; 包含在镶嵌图案的表面上形成的RuO 2层的扩散阻挡层和形成在该镶嵌图案的两侧上部的RuO 2层的一部分上的Al沉积抑制层; 以及通过MOCVD法在扩散阻挡层上形成的包括Al的布线金属层，以填充镶嵌图案。

公开(公告)号：US08008774B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US12754776

申请日：2010-04-06

申请人： Soo Hyun Kim ,  Baek Mann Kim ,  Young Jin Lee ,  Dong Ha Jung ,  Jeong Tae Kim

发明人： Soo Hyun Kim ,  Baek Mann Kim ,  Young Jin Lee ,  Dong Ha Jung ,  Jeong Tae Kim

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A multi-layer metal wiring of a semiconductor device and a method for forming the same are disclosed. The multi-layer metal wiring of the semiconductor device includes a lower Cu wiring, and an upper Al wiring formed to be contacted with the lower Cu wiring, and a diffusion barrier layer interposed between the lower Cu wiring and the upper Al wiring. The diffusion barrier layer is formed of a W-based layer.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件的多层金属布线及其形成方法。 半导体器件的多层金属布线包括下Cu布线和形成为与下Cu布线接触的上Al布线，以及介于下Cu布线和上Al布线之间的扩散阻挡层。 扩散阻挡层由W基层形成。