公开(公告)号：US20090294867A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12129984

申请日：2008-05-30

申请人： Byoung H. Lee ,  Sang Ho Bae ,  Kisik Choi ,  Rino Choi ,  Craig Huffman ,  Prashant Majhi ,  Jong Hoan Sim ,  Seung-Chul Song ,  Zhibo Zhang

发明人： Byoung H. Lee ,  Sang Ho Bae ,  Kisik Choi ,  Rino Choi ,  Craig Huffman ,  Prashant Majhi ,  Jong Hoan Sim ,  Seung-Chul Song ,  Zhibo Zhang

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： Methods of forming dual metal gates and the gates so formed are disclosed. A method may include forming a first metal (e.g., NMOS metal) layer on a gate dielectric layer and a second metal (e.g., PMOS metal) layer on the first metal layer, whereby the second metal layer alters a work function of the first metal layer (to form PMOS metal). The method may remove a portion of the second metal layer to expose the first metal layer in a first region; form a silicon layer on the exposed first metal layer in the first region and on the second metal layer in a second region; and form the dual metal gates in the first and second regions. Since the gate dielectric layer is continuously covered with the first metal, it is not exposed to the damage from the metal etch process.

摘要翻译： 公开了形成双金属栅极和形成的栅极的方法。 一种方法可以包括在第一金属层上的栅极电介质层和第二金属（例如，PMOS金属）层上形成第一金属（例如，NMOS金属）层，由此第二金属层改变第一金属 层（形成PMOS金属）。 该方法可以移除第二金属层的一部分以暴露第一区域中的第一金属层; 在第一区域中的暴露的第一金属层上和在第二区域中的第二金属层上形成硅层; 并在第一和第二区域形成双金属栅极。 由于栅极电介质层被第一金属连续覆盖，所以不会受到金属蚀刻工艺的损害。

公开(公告)号：US20080206988A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11711297

申请日：2007-02-27

申请人： Puneet Kohli ,  Craig Huffman ,  Manfred Ramin

发明人： Puneet Kohli ,  Craig Huffman ,  Manfred Ramin

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/823443 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66545

摘要： A simple and cost effective method of forming a fully silicided (FUSI) gate of a MOS transistor is disclosed. In one example, the method comprises forming a nitride hardmask overlying a polysilicon gate, forming an S/D silicide in source/drain regions of the transistor, oxidizing a portion of the S/D silicide to form an oxide barrier overlying the S/D silicide in the source/drain regions, removing the nitride hardmask from the polysilicon gate, and forming a gate silicide such as by deposition of a gate silicide metal over the polysilicon gate and the oxide barrier in the source/drain regions to form a fully silicided (FUSI) gate in the transistor. Thus, the oxide barrier protects the source/drain regions from additional silicide formation by the gate silicide metal formed thereafter. The method may further comprise selectively removing the oxide barrier in the source/drain regions after forming the fully silicided (FUSI) gate.

摘要翻译： 公开了一种形成MOS晶体管的完全硅化（FUSI）栅极的简单且成本有效的方法。 在一个示例中，该方法包括形成覆盖多晶硅栅极的氮化物硬掩模，在晶体管的源极/漏极区域中形成S / D硅化物，氧化S / D硅化物的一部分以形成覆盖S / D的氧化物屏障 在源极/漏极区域中的硅化物，从多晶硅栅极去除氮化物硬掩模，以及形成栅极硅化物，例如通过在多晶硅栅极上沉积栅极硅化物金属和在源极/漏极区域中的氧化物势垒形成完全硅化物 （FUSI）栅极。 因此，氧化物屏障通过之后形成的栅极硅化物金属保护源极/漏极区域免于另外的硅化物形成。 该方法还可以包括在形成完全硅化（FUSI）栅极之后选择性地去除源极/漏极区域中的氧化物势垒。