公开(公告)号：USD727636S1

公开(公告)日：2015-04-28

申请号：US29454202

申请日：2013-05-07

申请人： Kevin Atkinson

设计人： Kevin Atkinson

公开(公告)号：USD727634S1

公开(公告)日：2015-04-28

申请号：US29454200

申请日：2013-05-07

申请人： Kevin Atkinson

设计人： Kevin Atkinson

公开(公告)号：USD727633S1

公开(公告)日：2015-04-28

申请号：US29454193

申请日：2013-05-07

申请人： Kevin Atkinson

设计人： Kevin Atkinson

公开(公告)号：US20120112245A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13351142

申请日：2012-01-16

申请人： Kevin Atkinson ,  Clifford H. Boler

发明人： Kevin Atkinson ,  Clifford H. Boler

IPC分类号： H01L27/118

CPC分类号： G11C5/06 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C7/10 ,  G11C7/1069 ,  G11C11/4096 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5382 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H03K19/017581 ,  H01L2924/00

摘要： Multiple integrated circuits (ICs) die, from different wafers, can be picked-and-placed, front-side planarized using a vacuum applied to a planarizing disk, and attached to each other or a substrate. The streets between the IC die can be filled, and certain techniques or fixtures allow application of monolithic semiconductor wafer processing for interconnecting different die. High density I/O connections between different IC die can be obtained using structures and techniques for aligning vias to I/O structures, and (programmably routing IC I/O lines to appropriate vias. Existing IC die can be retrofitted for such interconnection to other IC die, such as by using similar techniques or tools.

摘要翻译： 可以将来自不同晶片的多个集成电路（IC）芯片取出并放置，使用施加到平坦化盘的真空并且彼此附接或基板将前侧平面化。 可以填充IC芯片之间的街道，并且某些技术或固定装置允许应用用于互连不同模具的单片半导体晶片处理。 可以使用用于将通孔对准I / O结构的结构和技术获得不同IC芯片之间的高密度I / O连接，并且（可编程地将IC I / O线路路由到适当的通孔），现有IC芯片可以进行改装， IC死，例如通过使用类似的技术或工具。