公开(公告)号：US20070004111A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11519128

申请日：2006-09-12

申请人： Atsushi Tomyo ,  Eiji Takahashi

发明人： Atsushi Tomyo ,  Eiji Takahashi

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01J37/34 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631

摘要： A hydrogen gas is supplied into a deposition chamber (10) accommodating a silicon sputter target (2) and a deposition target substrate (S), a high-frequency power is applied to the gas to generate plasma exhibiting Hα/SiH* from 0.3 to 1.3 in the deposition chamber, and chemical sputtering is effected on the silicon sputter target (2) by the plasma to form a crystalline silicon thin film on the substrate (2). A crystalline silicon thin film of a good quality can be formed inexpensively and safely at a relatively low temperature.

摘要翻译： 将氢气供给到容纳硅溅射靶（2）和沉积靶基板（S）的沉积室（10）中，向该气体施加高频电力，以产生表现出Halpha / SiH *的等离子体，从0.3到 在沉积室中进行化学溅射，并通过等离子体在硅溅射靶（2）上进行化学溅射，以在衬底（2）上形成晶体硅薄膜。 可以在较低温度下廉价且安全地形成质量好的晶体硅薄膜。

公开(公告)号：US20140154415A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：US14234465

申请日：2012-05-31

申请人： Atsushi Tomyo ,  Yoshiyuki Nasuno

发明人： Atsushi Tomyo ,  Yoshiyuki Nasuno

IPC分类号： C23C26/00 ,  C23C16/24

CPC分类号： C23C26/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： A method for manufacturing a silicon-containing film includes the steps of loading a substrate, depositing a silicon-containing unloading the substrate, dry cleaning, reducing fluoride and exhausting gas. In the step of reducing fluoride, a reducing gas is supplied into a chamber in such a way that a partial pressure of CF4 gas in the chamber is A×(2.0×10−4) Pa or less at the end of the step of exhausting gas.

摘要翻译： 一种含硅膜的制造方法，其特征在于，具备载置基板，沉积含有硅的卸载基板，干洗，还原氟化物和排气等的工序。 在减少氟化物的步骤中，将还原气体供给到室内，使得在排气步骤结束时室内的CF 4气体的分压为A×（2.0×10 -4）Pa以下 加油站。