公开(公告)号：US20120202336A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13362142

申请日：2012-01-31

申请人： Joo-Sung PARK ,  Se-Myeong Jang ,  Gil-Sub Kim

发明人： Joo-Sung PARK ,  Se-Myeong Jang ,  Gil-Sub Kim

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76229

摘要： A method of forming an isolation structure includes forming a trench at an upper portion of a substrate, forming a first oxide layer on an inner wall of the trench, oxidizing a portion of the substrate adjacent to the trench to form a second oxide layer such that the portion of the substrate adjacent to the trench has the first oxide layer thereon, forming a nitride layer on the first oxide layer, and forming an insulation layer pattern on the nitride layer such that the insulation layer pattern fills a remaining portion of the trench.

摘要翻译： 形成隔离结构的方法包括在衬底的上部形成沟槽，在沟槽的内壁上形成第一氧化物层，氧化邻近沟槽的衬底的一部分以形成第二氧化物层，使得 与沟槽相邻的衬底部分具有第一氧化物层，在第一氧化物层上形成氮化物层，并在氮化物层上形成绝缘层图案，使得绝缘层图案填充沟槽的剩余部分。

公开(公告)号：US08111501B2

公开(公告)日：2012-02-07

申请号：US12385938

申请日：2009-04-24

申请人： Gil-Sub Kim

发明人： Gil-Sub Kim

IPC分类号： H01G4/005

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/228 ,  H01G4/232 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： A method of forming a capacitor includes forming a cylindrical lower electrode structure having an internal support structure on a substrate, forming a dielectric layer on the cylindrical lower electrode structure and the support structure, and forming an upper electrode on the dielectric layer.

摘要翻译： 形成电容器的方法包括在基板上形成具有内部支撑结构的圆柱形下电极结构，在圆柱形下电极结构和支撑结构上形成电介质层，并在电介质层上形成上电极。

公开(公告)号：US20090268370A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12385938

申请日：2009-04-24

申请人： Gil-Sub Kim

发明人： Gil-Sub Kim

IPC分类号： H01G4/005

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/228 ,  H01G4/232 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： A method of forming a capacitor includes forming a cylindrical lower electrode structure having an internal support structure on a substrate, forming a dielectric layer on the cylindrical lower electrode structure and the support structure, and forming an upper electrode on the dielectric layer.

摘要翻译： 形成电容器的方法包括在基板上形成具有内部支撑结构的圆柱形下电极结构，在圆柱形下电极结构和支撑结构上形成电介质层，并在电介质层上形成上电极。