公开(公告)号：US09431478B2

公开(公告)日：2016-08-30

申请号：US14600142

申请日：2015-01-20

申请人： Yeong-Jong Jeong ,  Jeong-Yun Lee ,  Geo-Myung Shin ,  Dong-Suk Shin ,  Si-Hyung Lee ,  Seo-Jin Jeong

发明人： Yeong-Jong Jeong ,  Jeong-Yun Lee ,  Geo-Myung Shin ,  Dong-Suk Shin ,  Si-Hyung Lee ,  Seo-Jin Jeong

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/775 ,  H01L29/41

CPC分类号： H01L29/7848 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/78696

摘要： A semiconductor device includes a first multi-channel active pattern defined by a field insulating layer and extending along a first direction, the first multi-channel active pattern including a first portion having a top surface protruding further in an upward direction than a top surface of the field insulating layer and a second portion on both sides of the first portion, the second portion having sidewalls with a continuous profile and a top surface protruding further in the upward direction than the top surface of the field insulating layer and protruding in the upward direction less than the top surface of the first portion, a gate electrode on the first portion of the first multi-channel active pattern and extending along a second direction different from the first direction, and a first source/drain region on the second portion of the first multi-channel active pattern and contacting the field insulating layer.

摘要翻译： 一种半导体器件包括由场绝缘层限定并沿着第一方向延伸的第一多沟道有源图案，该第一多沟道有源图案包括第一部分，该第一部分具有在向上方向上进一步向上方突出的顶表面， 所述场绝缘层和所述第一部分的两侧上的第二部分，所述第二部分具有连续轮廓的侧壁和在所述场绝缘层的顶表面上向上方向突出的顶表面，并且在向上方向上突出 小于第一部分的顶表面的第一部分上的栅电极，在第一多通道有源图案的第一部分上并且沿着不同于第一方向的第二方向延伸的栅电极，以及在第一部分的第二部分上的第一源极/漏极区域 第一多通道有源图案并接触场绝缘层。

公开(公告)号：US09067099B2

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：US13418284

申请日：2012-03-12

申请人： David Beard ,  Si-Hyung Lee ,  Kevin Corbalis ,  Victor Cornejo ,  Deo Magakat ,  Shatish Mistry

发明人： David Beard ,  Si-Hyung Lee ,  Kevin Corbalis ,  Victor Cornejo ,  Deo Magakat ,  Shatish Mistry

IPC分类号： A63B22/06 ,  A63B21/005 ,  A63B21/22 ,  A63B24/00 ,  A63B71/06 ,  H02K21/24 ,  A63B22/00 ,  H02K7/18 ,  H02M7/06

CPC分类号： A63B22/0605 ,  A63B21/0053 ,  A63B21/0056 ,  A63B21/015 ,  A63B21/227 ,  A63B22/0046 ,  A63B22/0056 ,  A63B22/0076 ,  A63B22/0664 ,  A63B24/0006 ,  A63B24/0062 ,  A63B24/0084 ,  A63B24/0087 ,  A63B71/0619 ,  A63B71/0622 ,  A63B2022/0611 ,  A63B2071/0644 ,  A63B2071/0655 ,  A63B2209/02 ,  A63B2220/30 ,  A63B2220/51 ,  A63B2220/805 ,  A63B2220/833 ,  A63B2225/02 ,  A63B2225/093 ,  A63B2225/15 ,  A63B2225/20 ,  A63B2230/045 ,  B62M3/00 ,  H02K7/1815 ,  H02K21/24 ,  H02M7/06

摘要： An exercise apparatus with a generator. The exercise apparatus includes a frame, a rotating component, a generator, and a battery. The rotating component is rotatably connected to the frame and the rotating component rotates in response to operation of the exercise apparatus. The generator is connected to the rotating component and the frame. The generator includes a rotor connected to the rotating component and a stator. The rotor rotates in response to rotation of the rotating component. The stator is connected to the frame. The stator interacts with the rotor to produce electric current at an output. In one embodiment, the battery is connected to the output wherein the battery is charged by electric current from the generator.

摘要翻译： 具有发电机的运动装置。 锻炼装置包括框架，旋转部件，发电机和电池。 旋转部件可旋转地连接到框架，并且旋转部件响应于运动装置的操作而旋转。 发电机连接到旋转部件和框架。 发电机包括连接到旋转部件和定子的转子。 转子响应于旋转部件的旋转而旋转。 定子连接到框架。 定子与转子相互作用以在输出端产生电流。 在一个实施例中，电池连接到输出，其中电池由来自发电机的电流充电。

公开(公告)号：US20120238406A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13418284

申请日：2012-03-12

申请人： David Beard ,  Si-Hyung Lee ,  Kevin Corbalis ,  Victor Cornejo ,  Deo Magakat ,  Shatish Mistry

发明人： David Beard ,  Si-Hyung Lee ,  Kevin Corbalis ,  Victor Cornejo ,  Deo Magakat ,  Shatish Mistry

IPC分类号： A63B24/00

CPC分类号： A63B22/0605 ,  A63B21/0053 ,  A63B21/0056 ,  A63B21/015 ,  A63B21/227 ,  A63B22/0046 ,  A63B22/0056 ,  A63B22/0076 ,  A63B22/0664 ,  A63B24/0006 ,  A63B24/0062 ,  A63B24/0084 ,  A63B24/0087 ,  A63B71/0619 ,  A63B71/0622 ,  A63B2022/0611 ,  A63B2071/0644 ,  A63B2071/0655 ,  A63B2209/02 ,  A63B2220/30 ,  A63B2220/51 ,  A63B2220/805 ,  A63B2220/833 ,  A63B2225/02 ,  A63B2225/093 ,  A63B2225/15 ,  A63B2225/20 ,  A63B2230/045 ,  B62M3/00 ,  H02K7/1815 ,  H02K21/24 ,  H02M7/06

摘要： An exercise apparatus with a generator. The exercise apparatus includes a frame, a rotating component, a generator, and a battery. The rotating component is rotatably connected to the frame and the rotating component rotates in response to operation of the exercise apparatus. The generator is connected to the rotating component and the frame. The generator includes a rotor connected to the rotating component and a stator. The rotor rotates in response to rotation of the rotating component. The stator is connected to the frame. The stator interacts with the rotor to produce electric current at an output. In one embodiment, the battery is connected to the output wherein the battery is charged by electric current from the generator.

摘要翻译： 具有发电机的运动装置。 锻炼装置包括框架，旋转部件，发电机和电池。 旋转部件可旋转地连接到框架，并且旋转部件响应于运动装置的操作而旋转。 发电机连接到旋转部件和框架。 发电机包括连接到旋转部件和定子的转子。 转子响应于旋转部件的旋转而旋转。 定子连接到框架。 定子与转子相互作用以在输出端产生电流。 在一个实施例中，电池连接到输出，其中电池由来自发电机的电流充电。

公开(公告)号：US20080308876A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12155969

申请日：2008-06-12

申请人： Hye-Lan Lee ,  Si-Young Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Si-Hyung Lee ,  Sang-Jin Hyun

发明人： Hye-Lan Lee ,  Si-Young Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Si-Hyung Lee ,  Sang-Jin Hyun

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/4958 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/092 ,  H01L29/4966

摘要： A semiconductor device includes a first gate structure on a first region of a substrate, the first gate structure including sequentially formed a first insulating layer pattern, a first conductive layer pattern, and a first polysilicon layer pattern doped with first impurities of a first conductivity type, a first source/drain in the first region of the substrate doped with second impurities of a second conductivity type, a second gate structure on a second region of the substrate, the second gate structure including sequentially formed a second insulating layer pattern, a second conductive layer pattern, and a second polysilicon layer pattern doped with third impurities with the first conductivity type, and a second source/drain in the second region of the substrate doped with fourth impurities having a conductivity type opposite the second conductivity.

摘要翻译： 半导体器件包括在衬底的第一区域上的第一栅极结构，第一栅极结构包括顺序地形成第一绝缘层图案，第一导电层图案和掺杂有第一导电类型的第一杂质的第一多晶硅层图案 掺杂有第二导电类型的第二杂质的衬底的第一区域中的第一源极/漏极，在衬底的第二区域上的第二栅极结构，第二栅极结构依次形成第二绝缘层图案，第二栅极结构 导电层图案和掺杂有第一导电类型的第三杂质的第二多晶硅层图案，以及掺杂有具有与第二导电性相反的导电类型的第四杂质的第二基底的第二源极/漏极。