公开(公告)号：US20140284628A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：US14354888

申请日：2012-10-26

Applicant: LG INNOTEK CO., LTD

Inventor： Moo Seong Kim

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/1608 ,  C30B25/16 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: Disclosed is a method of manufacturing a thin film, the method including: growing an epitaxial layer on a surface of a wafer at a growth pressure, wherein the growing of the epitaxial layer comprises controlling a defect present on a surface of the wafer. Also, disclosed is a wafer including: a substrate; and a buffer layer and an epitaxial layer located on the substrate, wherein a surface dislocation density of the epitaxial layer is equal to or less than 1/cm2.

Abstract translation: 公开了一种制造薄膜的方法，该方法包括：在生长压力下在晶片的表面上生长外延层，其中外延层的生长包括控制晶片表面上存在的缺陷。 此外，公开了一种晶片，包括：基板; 以及位于所述基板上的缓冲层和外延层，其中所述外延层的表面位错密度为1 / cm 2以下。