公开(公告)号：US20160319419A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：US14699190

申请日：2015-04-29

Applicant: Seagate Technology LLC

Inventor： Qing He ,  Jae Young Yi ,  Eric W. Singleton

IPC: C23C14/08 ,  C23C28/04 ,  G11B5/31 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/081 ,  B82Y25/00 ,  C23C14/568 ,  C23C14/5806 ,  C23C28/32 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3909

Abstract: A method of making an MgO barrier layer for a TMR sensor, the method including depositing a first Mg layer in a first chamber, depositing a second Mg layer on the first Mg layer using a reactive oxide deposition process in the presence of oxygen in the first chamber or in a second chamber different than the first chamber, depositing a third Mg layer on the second MgO layer in either the first chamber, the second chamber, or a third chamber, and annealing the first layer, the second layer, and the third layer to form an MgO barrier layer.

Abstract translation: 一种制造用于TMR传感器的MgO阻挡层的方法，所述方法包括在第一室中沉积第一Mg层，在第一Mg层中在氧的存在下使用反应性氧化物沉积工艺在第一Mg层上沉积第二Mg层 或者在与第一室不同的第二室中，在第一室，第二室或第三室中的第二MgO层上沉积第三Mg层，并且退火第一层，第二层和第三层 层以形成MgO阻挡层。