公开(公告)号：US07926000B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US11683691

申请日：2007-03-08

申请人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin

发明人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70

摘要： An integrated circuit system that includes: providing a first mask including a first feature; exposing the first mask to a radiation source to form an image of the first feature on a photoresist material that is larger than a structure to be formed, the photoresist material being formed over a substrate that includes the integrated circuit system; providing a second mask including a second feature; aligning the second mask over the image of the first mask to form an overlap region; and exposing the second mask to the radiation source to form an image of the second feature on the photoresist material that is larger than the structure to be formed.

摘要翻译： 一种集成电路系统，包括：提供包括第一特征的第一掩模; 将所述第一掩模暴露于辐射源以在光致抗蚀剂材料上形成大于所形成的结构的所述第一特征的图像，所述光致抗蚀剂材料形成在包括所述集成电路系统的基板上; 提供包括第二特征的第二掩模; 将第二掩模对准第一掩模的图像以形成重叠区域; 以及将所述第二掩模暴露于所述辐射源以在所述光致抗蚀剂材料上形成大于所述待形成结构的第二特征的图像。

公开(公告)号：US07445874B2

公开(公告)日：2008-11-04

申请号：US10985263

申请日：2004-11-10

申请人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Liang-Choo Hsia

发明人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Liang-Choo Hsia

IPC分类号： G03F9/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/30

摘要： A embodiment method for forming a layout for a phase shift mask. A embodiment comprises providing a layout comprising a first feature, a first shifter region and a second shifter region. The first feature preferably has a L-shape portion with an elbow region. The first shifter region is on the outside of the L-shaped portion and the second shifter region is on the inside of the L-shaped portion. The elbow region has an outside corner away from the second shifter region. We identify a phase conflict region caused by the L-shaped portion of the first feature, the first shifter region and the second shifter region. We resolve the phase conflict by modifying the elbow region by moving the outside corner of the elbow region away from the first shifter region and the phase conflict region. The modification of the elbow region further comprises forming a jog region in the line end section of the first feature.

摘要翻译： 一种用于形成相移掩模布局的实施例方法。 实施例包括提供包括第一特征，第一移位区和第二移位区的布局。 第一特征优选具有肘部区域的L形部分。 第一移位区域位于L形部分的外侧，第二移位区域位于L形部分的内侧。 肘部区域具有远离第二移位区域的外角。 我们识别由第一特征的L形部分，第一移位区域和第二移位区域引起的相位冲突区域。 我们通过移动肘部区域的外角远离第一移位区域和相位冲突区域来修改肘部区域来解决相位冲突。 肘部区域的修改还包括在第一特征的线端部中形成点动区域。

公开(公告)号：US07836420B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11876663

申请日：2007-10-22

申请人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Andrew Khoh

发明人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Andrew Khoh

IPC分类号： G06F17/50 ,  G06F19/00 ,  H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70433

摘要： An integrated circuit system comprising: providing a substrate; forming a main feature using a first non-cross-junction assist feature over the substrate; forming the main feature using a second non-cross-junction assist feature, adjacent a location of the first non-cross-junction feature, over the substrate; and forming an integrated circuit having the substrate with the main feature thereover.

摘要翻译： 一种集成电路系统，包括：提供衬底; 在衬底上形成使用第一非交叉接合辅助特征的主要特征; 使用邻近所述第一非交叉连接特征的位置的第二非交叉点辅助特征在所述衬底上形成所述主要特征; 以及形成具有其主要特征的基板的集成电路。

公开(公告)号：US20080217726A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US11683691

申请日：2007-03-08

申请人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin

发明人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin

IPC分类号： H01L29/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70

摘要： An integrated circuit system that includes: providing a first mask including a first feature; exposing the first mask to a radiation source to form an image of the first feature on a photoresist material that is larger than a structure to be formed, the photoresist material being formed over a substrate that includes the integrated circuit system; providing a second mask including a second feature; aligning the second mask over the image of the first mask to form an overlap region; and exposing the second mask to the radiation source to form an image of the second feature on the photoresist material that is larger than the structure to be formed.

摘要翻译： 一种集成电路系统，包括：提供包括第一特征的第一掩模; 将所述第一掩模暴露于辐射源以在光致抗蚀剂材料上形成大于所形成的结构的所述第一特征的图像，所述光致抗蚀剂材料形成在包括所述集成电路系统的基板上; 提供包括第二特征的第二掩模; 将第二掩模对准第一掩模的图像以形成重叠区域; 以及将所述第二掩模暴露于所述辐射源以在所述光致抗蚀剂材料上形成大于所述待形成结构的第二特征的图像。

公开(公告)号：US07421676B2

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：US10942689

申请日：2004-09-15

申请人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Liang-Choo Hsia

发明人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Liang-Choo Hsia

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/30

摘要： A semiconductor design is provided having at least one feature at one of a line end and a line junction, and phase regions. At least one cut line is added to at least one of such features at line ends and such features at line junctions. Phases are assigned to the phase regions. The manufacturing of a photomask with the assigned phase regions is directed.

摘要翻译： 提供半导体设计，其具有线端和线结中的一个以及相位区域中的至少一个特征。 至少一条切割线被添加到线端的这些特征中的至少一个并且线结处的这些特征。 阶段分配给相位区域。 指定具有指定相位区域的光掩模的制造。

公开(公告)号：US07384714B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US10973526

申请日：2004-10-25

申请人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Liang-Choo Hsia

发明人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Liang-Choo Hsia

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/30

摘要： A method for fabricating a phase shift mask is provided. A trenched phase shift mask having portions of a light-blocking layer thereon is formed. A layer of anti-reflective material is then formed on the trenched phase shift mask and the portions of the light-blocking layer. The anti-reflective material is then removed on horizontal surfaces of the trenched phase shift mask and of the portions of the light-blocking layer.

摘要翻译： 提供了制造相移掩模的方法。 形成其上具有遮光层的部分的沟槽相移掩模。 然后在沟槽相移掩模和遮光层的部分上形成一层抗反射材料。 然后在沟槽相移掩模的水平表面和遮光层的部分上去除抗反射材料。

公开(公告)号：US20060075376A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US10942689

申请日：2004-09-15

申请人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Liang-Choo Hsia

发明人： Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Liang-Choo Hsia

IPC分类号： G03F1/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/30

摘要： A semiconductor design is provided having at least one feature at one of a line end and a line junction, and phase regions. At least one cut line is added to at least one of such features at line ends and such features at line junctions. Phases are assigned to the phase regions. The manufacturing of a photomask with the assigned phase regions is directed.

摘要翻译： 提供半导体设计，其具有线端和线结中的一个以及相位区域中的至少一个特征。 至少一条切割线被添加到线端部处的这些特征中的至少一个并且线结处的这些特征。 阶段分配给相位区域。 指定具有指定相位区域的光掩模的制造。

公开(公告)号：US08896810B2

公开(公告)日：2014-11-25

申请号：US12649212

申请日：2009-12-29

申请人： Wenzhan Zhou ,  Sia Kim Tan ,  Lei Yuan ,  Meisheng Zhou

发明人： Wenzhan Zhou ,  Sia Kim Tan ,  Lei Yuan ,  Meisheng Zhou

IPC分类号： G03B27/42

CPC分类号： G03F7/70341

摘要： A liquid immersion scanning exposure system utilizes an immersion liquid confined within a watertight lens hood having a base portion formed from a solid optical element. During operation, a bottom portion of a lens assembly is disposed within the immersion liquid and the solid optical element is placed upon a photoresist material or layer (to be patterned). The lens assembly moves laterally through the immersion liquid parallel to the photoresist material. Because the solid optical element separates the immersion liquid from the photoresist material and does not move relative to the photoresist material, the photoresist material does not contact with the immersion liquid and the solid optical element and is not susceptible to damage or scratching by the solid optical element.

摘要翻译： 液浸式扫描曝光系统利用限制在具有由固体光学元件形成的基部的防水透镜罩内的浸液。 在操作期间，透镜组件的底部设置在浸没液体内，并且固体光学元件被放置在光致抗蚀剂材料或层（待图案化）上。 透镜组件横向移动通过平行于光致抗蚀剂材料的浸没液体。 由于固体光学元件将浸没液体与光致抗蚀剂材料分离并且不相对于光致抗蚀剂材料移动，所以光致抗蚀剂材料不与浸没液体和固体光学元件接触，并且不易受固体光学元件的损坏或划伤 元件。

公开(公告)号：US08034543B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12696067

申请日：2010-01-29

申请人： Gek Soon Chua ,  Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Cho Jui Tay ,  Chenggen Quan

发明人： Gek Soon Chua ,  Sia Kim Tan ,  Qunying Lin ,  Cho Jui Tay ,  Chenggen Quan

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F1/30

摘要： A method for forming a semiconductor device is presented. The method includes providing a substrate having a photoresist thereon and transmitting a light source through a mask having a pattern onto the photoresist. The mask comprises a mask substrate having first, second and third regions, the third region is disposed between the first and second regions. The mask also includes a light reducing layer over the mask substrate having a first opening over the first region and a second opening over the second region. The first and second openings have layer sidewalls. The sidewalls of the light reducing layer are slanted at an angle less than 90 degrees from the plane of a top surface of the mask substrate. The method also includes developing the photoresist to transfer the pattern of the mask to the photoresist.

摘要翻译： 提出了一种形成半导体器件的方法。 该方法包括提供其上具有光致抗蚀剂的基底，并通过具有图案的掩模将光源透射到光致抗蚀剂上。 掩模包括具有第一，第二和第三区域的掩模基板，第三区域设置在第一和第二区域之间。 掩模还包括在掩模基板上方的减光层，在第一区域上具有第一开口，在第二区域上具有第二开口。 第一和第二开口具有层侧壁。 减光层的侧壁以与掩模基板的顶面的平面成90度以下的角度倾斜。 该方法还包括显影光致抗蚀剂以将掩模的图案转移到光致抗蚀剂。

公开(公告)号：US08003311B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US11972809

申请日：2008-01-11

申请人： Sia Kim Tan ,  Soo Muay Goh ,  Qunying Lin ,  Martin Yeo

发明人： Sia Kim Tan ,  Soo Muay Goh ,  Qunying Lin ,  Martin Yeo

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： H01L21/31144 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit system that includes: providing a substrate coated with a photoresist material; exposing the photoresist material to an energy source through a first mask to form a first substrate feature and a second substrate feature therein; and exposing the photoresist material to the energy source through a second mask to transform the second substrate feature into another one of the first substrate feature therein.

摘要翻译： 一种集成电路系统，包括：提供涂覆有光致抗蚀剂材料的基底; 通过第一掩模将光致抗蚀剂材料暴露于能量源以在其中形成第一衬底特征和第二衬底特征; 以及通过第二掩模将所述光致抗蚀剂材料暴露于所述能量源，以将所述第二衬底特征变换为所述第一衬底特征中的另一衬底特征。