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11.

发明授权
Method of fabricating high performance SiGe heterojunction bipolar transistor BiCMOS on a silicon-on-insulator substrate 失效
标题翻译：在绝缘体上硅衬底上制造高性能SiGe异质结双极晶体管BiCMOS的方法

公开(公告)号：US06555874B1

公开(公告)日：2003-04-29

申请号：US09649380

申请日：2000-08-28

申请人： Sheng Teng Hsu , Douglas James Tweet , Bruce Dale Ulrich , Hong Ying

发明人： Sheng Teng Hsu , Douglas James Tweet , Bruce Dale Ulrich , Hong Ying

IPC分类号： H01L310392

CPC分类号： H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/7378

摘要： A semiconductor structure includes, on a SOI substrate, a CMOS formed on the substrate; and a SiGe HBT formed on the substrate. A method of fabricating a semiconductor structure includes preparing a SOI substrate having plural active regions thereon; forming a CMOS on the SOI substrate in a first active region; and forming a SiGe HBT on the SOI substrate in another active region.

摘要翻译： 半导体结构在SOI衬底上包括在衬底上形成的CMOS; 和形成在衬底上的SiGe HBT。制造半导体结构的方法包括制备其上具有多个有源区的SOI衬底; 在第一有源区中在SOI衬底上形成CMOS; 以及在另一有源区的SOI衬底上形成SiGe HBT。

12.

发明授权
Method of making a multi-level reticle using bi-level photoresist, including a phase-shifted multi-level reticle 有权
标题翻译：使用双层光刻胶制造多层标线的方法，包括相移多层掩模版

公开(公告)号：US06436587B1

公开(公告)日：2002-08-20

申请号：US09665236

申请日：2000-09-18

申请人： Bruce Dale Ulrich , Gerald William Maliszewski

发明人： Bruce Dale Ulrich , Gerald William Maliszewski

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/28

摘要： A method of forming a reticle includes providing a reticle blank having a quartz layer, an attenuated phase shift layer, and a metal layer; covering the reticle blank with photoresist; patterning the photoresist into multiple levels; and etching the reticle blank according to the multi-level photoresist pattern.

摘要翻译： 形成掩模版的方法包括提供具有石英层，衰减相移层和金属层的掩模版坯料; 用光刻胶覆盖掩模版坯料; 将光致抗蚀剂图案化成多个层次; 并根据多层光刻胶图案蚀刻掩模版坯料。