公开(公告)号：US20080012006A1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：US11488200

申请日：2006-07-17

Applicant: Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  John W. Catron ,  Reid John Chesterfield ,  Feng Gao ,  Howard David Glicksman ,  Marc B. Goldfinger ,  Gary Delmar Jaycox ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Irina Malajovich ,  Hong Meng ,  Jeffrey Scott Meth ,  Gerard O'Neil ,  Kenneth George Sharp ,  Nancy G. Tassi ,  Geoffrey Nunes

Inventor： Richard Kevin Bailey ,  Graciela Beatriz Blanchet ,  John W. Catron ,  Reid John Chesterfield ,  Feng Gao ,  Howard David Glicksman ,  Marc B. Goldfinger ,  Gary Delmar Jaycox ,  Lynda Kaye Johnson ,  Roupen Leon Keusseyan ,  Irina Malajovich ,  Hong Meng ,  Jeffrey Scott Meth ,  Gerard O'Neil ,  Kenneth George Sharp ,  Nancy G. Tassi ,  Geoffrey Nunes

IPC: H01L51/10 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/052 ,  H01L51/0013 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102

Abstract: The invention relates to thin film transistors comprising novel dielectric layers and novel electrodes comprising metal compositions that can be provided by a dry thermal transfer process.

Abstract translation: 本发明涉及包含新型电介质层的薄膜晶体管和包含可通过干热转移工艺提供的金属组合物的新型电极。