公开(公告)号：US20090065810A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：US12209581

申请日：2008-09-12

申请人： James Honea ,  Primit Parikh ,  Yifeng Wu ,  Ilan Ben-Yaacov

发明人： James Honea ,  Primit Parikh ,  Yifeng Wu ,  Ilan Ben-Yaacov

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7781

摘要： Bidirectional switches are described. The bidirectional switches include first and a second III-N based high electron mobility transistor. In some embodiments, the source of the first transistor is in electrical contact with a source of the second transistor. In some embodiments, the drain of the first transistor is in electrical contact with a drain of the second transistor. In some embodiments, the two transistors share a drift region and the switch is free of a drain contact between the two transistors. Matrix converters can be formed from the bidirectional switches.

摘要翻译： 描述了双向开关。 双向开关包括第一和第二III-N基高电子迁移率晶体管。 在一些实施例中，第一晶体管的源极与第二晶体管的源电接触。 在一些实施例中，第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极电接触。 在一些实施例中，两个晶体管共享漂移区，并且开关在两个晶体管之间没有漏极接触。 矩阵转换器可以由双向开关形成。