公开(公告)号：USD675596S1

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US29371811

申请日：2011-10-12

申请人： Kazunori Kusuki ,  Kiyoshi Oota

设计人： Kazunori Kusuki ,  Kiyoshi Oota

公开(公告)号：USD584757S1

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US29300053

申请日：2008-02-15

申请人： Kiyoshi Oota

设计人： Kiyoshi Oota

公开(公告)号：USD552657S1

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US29268073

申请日：2006-10-30

申请人： Kiyoshi Oota

设计人： Kiyoshi Oota

公开(公告)号：USD552600S1

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US29267793

申请日：2006-10-23

申请人： Kiyoshi Oota

设计人： Kiyoshi Oota

公开(公告)号：US06851972B2

公开(公告)日：2005-02-08

申请号：US10242695

申请日：2002-09-13

申请人： Makoto Koide ,  Kiyoshi Oota

发明人： Makoto Koide ,  Kiyoshi Oota

IPC分类号： H01R13/40 ,  B60S1/08 ,  B60S1/16 ,  H01R4/02 ,  H01R13/432 ,  H02K5/22 ,  H01R27/00

CPC分类号： H01R13/432 ,  B60S1/08 ,  B60S1/166 ,  H01R4/029

摘要： A terminal assembly is assembled to a first housing segment of a connector housing. A pair of insertion projections is integrally formed to an internal surface of the first housing segment. One of the insertion projections is fit into a gap between cut ends of terminals in the terminal assembly. The other one of the insertion projections is fit into another gap between cut ends of other terminals in the terminal assembly.

摘要翻译： 端子组件组装到连接器壳体的第一壳体部分。 一对插入突起与第一壳体段的内表面一体地形成。 插入突起中的一个嵌入到端子组件中的端子的切割端之间的间隙中。 插入突起中的另一个插入到端子组件中的其它端子的切割端之间的另一个间隙中。

公开(公告)号：USD640250S1

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US29347535

申请日：2010-02-25

申请人： Kazunori Kusuki ,  Kiyoshi Oota

设计人： Kazunori Kusuki ,  Kiyoshi Oota

公开(公告)号：US20100085997A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12575123

申请日：2009-10-07

申请人： Gaku Nishikawa ,  Kiyoshi Oota ,  Yoshinari Ichihashi

发明人： Gaku Nishikawa ,  Kiyoshi Oota ,  Yoshinari Ichihashi

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333

摘要： A nitride-based semiconductor laser device includes a nitride-based semiconductor layer formed on an active layer made of a nitride-based semiconductor, and an electrode layer including a first metal layer, made of Pt, formed on a far side of a surface of the nitride-based semiconductor layer from the active layer, a second metal layer, made of Pd, formed on a surface of the first metal layer, and a third metal layer, made of Pt, formed on a surface of the second metal layer, and having a shape necessary for the device in plan view. A thickness of the third metal layer is at least 10 times and not more than 30 times a thickness of the first metal layer.

摘要翻译： 氮化物系半导体激光装置包括形成在由氮化物系半导体构成的有源层上的氮化物系半导体层，以及包含由Pt构成的第一金属层的电极层， 来自有源层的氮化物基半导体层，形成在第一金属层的表面上的由Pd制成的第二金属层和形成在第二金属层的表面上的由Pt制成的第三金属层， 并且在平面图中具有该装置所需的形状。 第三金属层的厚度为第一金属层的厚度的至少10倍且不超过30倍。

公开(公告)号：USD597120S1

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：US29309092

申请日：2008-06-20

申请人： Kiyoshi Oota

设计人： Kiyoshi Oota

公开(公告)号：USD556163S1

公开(公告)日：2007-11-27

申请号：US29260988

申请日：2006-06-06

申请人： Kiyoshi Oota

设计人： Kiyoshi Oota

公开(公告)号：US06577006B1

公开(公告)日：2003-06-10

申请号：US09473405

申请日：1999-12-28

申请人： Kiyoshi Oota ,  Nobuhiko Hayashi

发明人： Kiyoshi Oota ,  Nobuhiko Hayashi

IPC分类号： H01L3300

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

摘要： An undoped GaN buffer layer, an n-type GaN layer and a p-type GaN layer are successively formed on a sapphire substrate, and a partial region from the p-type GaN layer to the n-type GaN layer is removed, to expose the n-type GaN layer. Ti films having a thickness of 3 to 100 Å and Pt films are successively formed on the p-type GaN layer and on the exposed upper surfaces of the n-type GaN layer. Consequently, a p electrode in ohmic contact with the p-type GaN layer and an n electrode in ohmic contact with the n-type GaN layer are formed without being alloyed by heat treatment.

摘要翻译： 在蓝宝石衬底上依次形成未掺杂的GaN缓冲层，n型GaN层和p型GaN层，并且从p型GaN层到n型GaN层的部分区域被去除，以露出 n型GaN层。 在p型GaN层和n型GaN层的露出的上表面上依次形成厚度为3〜100的Ti膜和Pt膜。 因此，与p型GaN层欧姆接触的p电极和与n型GaN层欧姆接触的n电极形成，而不通过热处理合金化。