公开(公告)号：US20050166175A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：US10707962

申请日：2004-01-28

申请人： Lars Liebmann ,  Zachary Baum

发明人： Lars Liebmann ,  Zachary Baum

IPC分类号： G03F1/08 ,  G03F1/00 ,  G06F17/50 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F1/30

摘要： A method of designing an alternating phase shifting mask for projecting an image of an integrated circuit design having a plurality of essentially parallel segments of critical width comprises creating essentially parallel alternating phase shifting regions aligned with the critical width segments and extending beyond ends of at least some of the critical width segments, enclosing the integrated circuit layout and the alternating phase shifting regions within a boundary, extending the alternating phase shifting regions to an edge of the boundary, and thereafter creating an alternating phase shifting mask based on the alternating phase shifting regions.

摘要翻译： 设计用于投影具有多个基本上平行的关键宽度段的集成电路设计的图像的交替相移掩模的方法包括产生与临界宽度段对准的基本上平行的交替相移区域并延伸到至少一些 的关键宽度段，将集成电路布局和交替相移区域包围在边界内，将交替相移区域延伸到边界的边缘，然后基于交替的相移区域产生交替的相移掩模。

公开(公告)号：US20050014074A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10604373

申请日：2003-07-15

申请人： Lars Liebmann ,  Scott Bukofsky ,  Ioana Graur

发明人： Lars Liebmann ,  Scott Bukofsky ,  Ioana Graur

IPC分类号： G03F1/08 ,  G03C3/02 ,  G03C5/00 ,  G03F1/00 ,  G03F9/00 ,  G06F17/50 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F1/30 ,  G03F1/70

摘要： A method of generating patterns of a pair of photomasks from a data set defining a circuit layout to be provided on a substrate includes identifying critical segments of the circuit layout to be provided on the substrate. Block mask patterns are generated and then legalized based on the identified critical segments. Thereafter, phase mask patterns are generated, legalized and colored. The legalized block mask patterns and the legalized phase mask patterns that have been colored define features of a block mask and an alternating phase shift mask, respectively, for use in a dual exposure method for patterning features in a resist layer of a substrate.

摘要翻译： 从定义要提供在衬底上的电路布局的数据集中产生一对光掩模的图案的方法包括识别要在衬底上提供的电路布局的关键段。 生成块掩码模式，然后根据所识别的关键段进行合法化。 此后，生成相位掩模图案，合法化和着色。 已经着色的合法化块掩模图案和合法化的相位掩模图案分别定义了块掩模和交替相移掩模的特征，用于在用于图案化衬底的抗蚀剂层中的特征的双曝光方法中使用。