公开(公告)号：US20110159660A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12906184

申请日：2010-10-18

申请人： Dae-Hyuk Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Ji-Hoon Cha ,  Im-Soo Park ,  Hyo-San Lee ,  Young-Hoo Kim ,  Jung-Min Oh

发明人： Dae-Hyuk Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Ji-Hoon Cha ,  Im-Soo Park ,  Hyo-San Lee ,  Young-Hoo Kim ,  Jung-Min Oh

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01G13/00

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

摘要： In a method of forming a capacitor, a first mold layer pattern including a first insulating material may be formed on a substrate. The first mold layer pattern may have a trench. A supporting layer including a second insulating material may be formed in the trench. The second insulating material may have an etching selectivity with respect to the first insulating material. A second mold layer may be formed on the first mold layer pattern and the supporting layer pattern. A lower electrode may be formed through the second mold layer and the first mold layer pattern. The lower electrode may make contact with a sidewall of the supporting layer pattern. The first mold layer pattern and the second mold layer may be removed. A dielectric layer and an upper electrode may be formed on the lower electrode and the supporting layer pattern.

摘要翻译： 在形成电容器的方法中，可以在基板上形成包括第一绝缘材料的第一模层图案。 第一模层图案可以具有沟槽。 可以在沟槽中形成包括第二绝缘材料的支撑层。 第二绝缘材料可以具有相对于第一绝缘材料的蚀刻选择性。 可以在第一模层图案和支撑层图案上形成第二模层。 可以通过第二模具层和第一模具层图案形成下部电极。 下电极可以与支撑层图案的侧壁接触。 可以去除第一模层图案和第二模层。 电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。