公开(公告)号：US06184612B2

公开(公告)日：2001-02-06

申请号：US09131340

申请日：1998-08-07

申请人： Nobuyasu Negishi ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

发明人： Nobuyasu Negishi ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Shingo Iwasaki ,  Hiroshi Ito ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

IPC分类号： H01J102

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2329/00

摘要： An electron emission device exhibits a high electron emission efficiency. The device includes an electron-supply layer of metal or semiconductor, an insulator layer formed on the electron-supply layer, and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The insulator layer has a film thickness of 50 nm or greater. The electron-supply layer is made of hydrogenated amorphous silicon. When an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal electrode, the electron emission device emits electrons.

摘要翻译： 电子发射装置表现出高电子发射效率。 该装置包括金属或半导体的电子供应层，形成在电子供应层上的绝缘体层和形成在绝缘体层上的薄膜金属电极。 绝缘体层的膜厚为50nm以上。 电子供应层由氢化非晶硅制成。 当在电子供给层和薄膜金属电极之间施加电场时，电子发射装置发射电子。

公开(公告)号：US6066922A

公开(公告)日：2000-05-23

申请号：US131222

申请日：1998-08-07

申请人： Shingo Iwasaki ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Hiroshi Ito ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

发明人： Shingo Iwasaki ,  Kiyohide Ogasawara ,  Takamasa Yoshikawa ,  Takashi Chuman ,  Nobuyasu Negishi ,  Hiroshi Ito ,  Atsushi Yoshizawa ,  Takashi Yamada ,  Shuuichi Yanagisawa ,  Kazuto Sakemura

IPC分类号： H01J1/312 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  G09G3/10

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01J1/312

摘要： An electron emission device exhibits a high electron emission efficiency. The device includes an electron-supply layer of metal or semiconductor, an insulator layer formed on the electron-supply layer, and a thin-film metal electrode formed on the insulator layer. The insulator layer has at a film thickness of 50 nm or greater and a field-stabilizing layer. When an electric field is applied between the electron-supply layer and the thin-film metal electrode, the electron emission device emits electrons.

摘要翻译： 电子发射装置表现出高电子发射效率。 该装置包括金属或半导体的电子供应层，形成在电子供应层上的绝缘体层和形成在绝缘体层上的薄膜金属电极。 绝缘体层的膜厚为50nm以上，场稳定层。 当在电子供给层和薄膜金属电极之间施加电场时，电子发射装置发射电子。