公开(公告)号：US20120175587A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13348317

申请日：2012-01-11

申请人： Tae Hun KIM ,  Seung Woo Choi ,  Tae Sung Jang

发明人： Tae Hun KIM ,  Seung Woo Choi ,  Tae Sung Jang

IPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00

CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/405

摘要： A semiconductor light emitting device is herein disclosed. The semiconductor light emitting device includes: a conductive substrate, a p-type semiconductor layer disposed on the conductive substrate, an active layer disposed on the p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer disposed on the active layer, and an n-side electrode disposed on the n-type semiconductor layer and including a carbon nanotube layer doped with an n-type impurity.

摘要翻译： 本文公开了一种半导体发光器件。 半导体发光器件包括：导电衬底，设置在导电衬底上的p型半导体层，设置在p型半导体层上的有源层，设置在有源层上的n型半导体层，以及n 配置在n型半导体层上，并且包含掺杂有n型杂质的碳纳米管层。