公开(公告)号：US07079559B2

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：US10374798

申请日：2003-02-25

Applicant: Tansen Varghese ,  William Ring

Inventor： Tansen Varghese ,  William Ring

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/0422 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/227

Abstract: A semiconductor laser device with a first side and a second side, comprising (a) an active region, (b) a P layer, wherein the P layer contains a first contact area, (c) an N layer, wherein said N layer contains a second contact area, wherein the contact area of the first contact area of the P layer and the second contact layer of the N layer reside on the first side of the laser device.

Abstract translation: 一种具有第一侧面和第二面的半导体激光器件，包括（a）有源区，（b）P层，其中所述P层包含第一接触区域，（c）N层，其中所述N层包含 第二接触区域，其中P层的第一接触区域和N层的第二接触层的接触面积位于激光器件的第一侧上。