公开(公告)号：US4910578A

公开(公告)日：1990-03-20

申请号：US159401

申请日：1988-02-11

申请人： Tatsuo Okamoto

发明人： Tatsuo Okamoto

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/532 ,  H01L29/43 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L23/53223 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/456 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device comprises a silicon substrate (1) formed with impurity diffusion layers (5, 9) in a region defined by insulating films (2a, 2b) for separating elements and an aluminum alloy film (11) for electrode interconnection having a contact hole portion 7 whose bottom is electrically in contact with the impurity diffusion layers (5, 9). A titanium silicide (TiSi.sub.2) film (4) is deposited on the surfaces of the impurity diffusion layers (5, 9) to reduce sheet resistivity thereof as well as reduce contact resistance between the same and the aluminum alloy film (11). A molybdenum silicide (MoSi.sub.2) film (8) is further formed thereon to prevent the TiSi.sub.2 film (4) from corrosion in removal of an oxide film through etching, while a titanium nitride (TiN) film (10) is formed thereon to prevent thermal reaction of the aluminum alloy film (11) and the MoSi.sub.2 film (8).

摘要翻译： 半导体器件包括在用于分离元件的绝缘膜（2a，2b）限定的区域中形成有杂质扩散层（5,9）的硅衬底（1）和用于电极互连的铝合金膜（11），其具有接触孔 其底部与杂质扩散层（5,9）电接触。 在杂质扩散层（5,9）的表面上沉积硅化钛（TiSi 2）膜（4）以降低其电阻率，并降低其与铝合金膜（11）之间的接触电阻。 在其上进一步形成硅化钼（MoSi2）膜（8），以防止TiSi2膜（4）在通过蚀刻去除氧化膜时被腐蚀，同时在其上形成氮化钛（TiN）膜（10）以防止热 铝合金膜（11）和MoSi2膜（8）的反应。

公开(公告)号：US4873163A

公开(公告)日：1989-10-10

申请号：US229769

申请日：1988-08-08

申请人： Yaichiro Watakabe ,  Hiroaki Morimoto ,  Tatsuo Okamoto

发明人： Yaichiro Watakabe ,  Hiroaki Morimoto ,  Tatsuo Okamoto

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/50 ,  G03F1/52 ,  G03F1/54 ,  G03F1/88 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F1/46 ,  G03F1/54

摘要： A photomask material according to the present invention comprises a transparent substrate and a silicide film of a transition metal formed on the transparent substrate.

摘要翻译： 根据本发明的光掩模材料包括透明基板和形成在透明基板上的过渡金属的硅化物膜。