公开(公告)号：US20100273307A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12430594

申请日：2009-04-27

申请人： Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Klemens Pruegl

发明人： Stefan Sedlmaier ,  Wolfgang Lehnert ,  Klemens Pruegl

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/82

摘要： A method for making a device including a capacitive structure is disclosed. One embodiment provides a carrier layer having a surface. A first dielectric layer is formed on the surface. A silicon layer including silicon grains is formed on the first dielectric layer using a deposition process. A second dielectric layer is formed on the second silicon layer. A layer of an electrically conductive material is formed on the dielectric layer. A temperature process for heating at least the first dielectric layer is performed. The temperature and duration of the temperature process is selected such that the first dielectric layer is modified so that the silicon layer is electrically connected to the carrier layer.

摘要翻译： 公开了一种制造包括电容结构的器件的方法。 一个实施例提供具有表面的载体层。 在表面上形成第一介电层。 使用沉积工艺在第一介电层上形成包括硅晶粒的硅层。 第二介电层形成在第二硅层上。 在电介质层上形成导电材料层。 进行至少加热第一介电层的温度处理。 选择温度处理的温度和持续时间，使得第一电介质层被修改，使得硅层电连接到载体层。