公开(公告)号：US20050253163A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US11120514

申请日：2005-05-02

申请人： Franz Eberhard ,  Uwe Strauss ,  Ulrich Zehnder ,  Andreas Weimar ,  Raimund Oberschmid

发明人： Franz Eberhard ,  Uwe Strauss ,  Ulrich Zehnder ,  Andreas Weimar ,  Raimund Oberschmid

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01S5/22 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  Y10S438/947

摘要： An optoelectronic component having a semiconductor chip containing a semiconductor layer sequence (6) with a radiation-emitting active zone (4), the semiconductor layer sequence (6) having sidewalls (10). A connection contact (9) is provided for impressing current into the active zone. A first current expansion layer (7) adjoins a semiconductor layer (5) of the semiconductor layer sequence (6) and a second current expansion layer (8) is provided between the semiconductor layer sequence (6) and the connection contact (9). The first current expansion layer (7) has a larger sheet resistance than the second current expansion layer (8) and forms an ohmic contact with the adjoining semiconductor layer (5). The second current expansion layer (8) is applied to a partial region of the first current expansion layer (7) which is at a distance from the sidewalls (10).

摘要翻译： 一种具有半导体芯片的光电子元件，该半导体芯片包含具有辐射发射有源区（4）的半导体层序列（6），该半导体层序列（6）具有侧壁（10）。 提供连接触点（9），用于将电流施加到活动区域中。 第一电流膨胀层（7）邻接半导体层序列（6）的半导体层（5），并且在半导体层序列（6）和连接触头（9）之间设置第二电流扩展层（8）。 第一电流膨胀层（7）具有比第二电流膨胀层（8）更大的薄层电阻，并与邻接的半导体层（5）形成欧姆接触。 第二电流膨胀层（8）被施加到距离侧壁（10）一定距离的第一电流膨胀层（7）的部分区域。